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35N60C3-VB一种Single-N沟道TO247封装MOS管

### 产品简介

**型号：35N60C3-VB**

35N60C3-VB 是一款高性能单N沟道功率MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术制造。该器件封装在TO-247封装中，具有650V的漏源电压和47A的漏极电流，适用于要求高性能和高电压的电源管理和开关控制应用。

### 详细参数说明

- **封装类型**: TO-247

- **配置**: 单N沟道

- **漏源电压 (VDS)**: 650V

- **栅源电压 (VGS)**: ±30V

- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V

- **导通电阻 (RDS(ON))**: 75mΩ@VGS=10V

- **漏极电流 (ID)**: 47A

- **技术类型**: SJ_Multi-EPI

35N60C3-VB.pdf

### 应用领域和模块示例

**电源管理模块**: 35N60C3-VB 适用于高电压的高性能电源管理模块，如工业电源和电力系统中的DC-DC转换器和开关电源。

**电机驱动器**: 在需要控制电机的应用中，35N60C3-VB 可以用作电机驱动器中的开关元件。其高电流承载能力和低导通电阻使其适用于工业自动化设备和电动车中的电机控制。

**电力逆变器**: 由于其高电压和高性能特性，35N60C3-VB 可以用作电力逆变器中的开关元件，将直流电源转换为交流电源，用于电网连接的可再生能源系统。

**光伏逆变器**: 在太阳能光伏系统中，35N60C3-VB 可以用作光伏逆变器中的开关元件，将光伏电池板产生的直流电转换为交流电，以供电网使用。

以上是一些35N60C3-VB 在不同领域和模块中的应用示例，显示了其高性能、高电压和可靠性的特点。