SI2308BDS-T1-GE3-VB一款N沟道SOT23封装MOSFET应用分析
标签： 来源：国产品牌站 作者：szvbsemi 时间：2024-01-12 10:05
摘要：
SI2308BDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V，额定电流为4A，RDS(ON)参数为85mΩ（在10V下）和96mΩ（在4.5V下），以及20Vgs(±V)的电压限制和1~3Vth的阈值电压范围。
SI2308BDS-T1-GE3适用于多个应用领域。在电源管理、功率转换、驱动电路和开关电路等领域中，它可以实现电流控制和功率转换。此外，在汽车电子、消费电子和通信设备等领域，它也有潜在的应用。
