NTD5867NLT4G-VB一款N沟道TO252封装MOSFET应用分析
标签： 来源：国产品牌站 作者：szvbsemi 时间：2024-01-12 16:33
摘要：NTD5867NLT4G.pdf
NTD5867NLT4G (VBE1638)参数说明：N沟道，60V，45A，导通电阻24mΩ@10V，28mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.8V，封装：TO252。
应用简介：NTD5867NLT4G适用于高功率N沟道MOSFET，常见于电源开关、电机控制和逆变器等领域模块。
其高电流承载能力使其在大电流需求场景中表现出色。
适用领域与模块：适用于高功率应用，如电源开关、电机控制和逆变器等模块。
高电流承载能力满足大电流需求。
