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2SK2110-VB一款N-Channel沟道SOT89封装的场效应MOS管

### 产品简介

2SK2110-VB 是一款单 N 通道 MOSFET，采用 SOT89 封装。该器件具有较高的100V漏极-源极电压（VDS），适用于需要处理中等电压的应用场合。主要特点包括4.2A的漏极电流（ID）、125mΩ @ VGS=4.5V 和 102mΩ @ VGS=10V 的导通电阻（RDS(ON)）、1.8V的阈值电压（Vth），以及采用沟道结构技术制造，提供优异的开关性能和可靠性。

### 详细参数说明

- **型号**：2SK2110-VB

- **封装**：SOT89

- **配置**：单 N 通道

- **漏极-源极电压 (VDS)**：100V

- **栅源电压 (VGS)**：±20V

- **阈值电压 (Vth)**：1.8V

- **导通电阻 (RDS(ON))**：125mΩ @ VGS=4.5V、102mΩ @ VGS=10V

- **漏极电流 (ID)**：4.2A

- **技术**：沟道结构

2SK2110-VB.pdf

### 应用领域和模块

2SK2110-VB 适用于多种中功率和中电压应用场合。

1. **电源管理**：在各种中功率电源应用中，2SK2110-VB 能够提供可靠的开关性能和高效的电能转换，适用于各种类型的逆变器和电源适配器。

2. **电机驱动**：在中功率电机驱动器中，该器件可用于驱动各种类型的电机，提供高效的电能转换和可靠的控制。

3. **照明系统**：在需要中功率 LED 照明系统中，2SK2110-VB 能够提供稳定的电流控制和高效的能量转换，确保LED的稳定亮度和长寿命。

4. **电源开关**：由于其高电压和低导通电阻，该器件可用于电源开关和开关电路，提供快速的开关速度和低损耗。

综上所述，2SK2110-VB 是一款适用于中功率和中电压应用的 MOSFET，具有优异的开关性能和可靠性，适用于电源管理、电机驱动、照明系统和电源开关等领域。