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2SK2168-VB一款N-Channel沟道SOT89封装的场效应MOS管

### 2SK2168-VB MOSFET 产品简介

2SK2168-VB 是一款由VBsemi制造的单N沟道MOSFET，采用SOT89封装。这款器件适用于低功率应用，具有较高的漏源电压（VDS 200V）和适中的电流承载能力（ID 1A）。采用槽道工艺技术，具有较低的导通电阻和适中的阈值电压，适合要求高效率和可靠性的电路设计。

### 2SK2168-VB 详细参数说明

- **型号**: 2SK2168-VB

- **封装**: SOT89

- **配置**: 单N沟道

- **漏源电压 (VDS)**: 200V

- **栅源电压 (VGS)**: ±20V

- **阈值电压 (Vth)**: 3V

- **导通电阻 (RDS(ON))**: 1600mΩ @ VGS = 10V

- **漏极电流 (ID)**: 1A

- **技术**: 槽道工艺

2SK2168-VB.pdf

### 适用领域和模块举例

1. **低压低功率电源（Low Voltage, Low Power Supplies）**:

   2SK2168-VB 可以用于低功率电源管理电路中，例如便携式设备、小型家电等。其低导通电阻有助于提高电源转换效率。

2. **LED驱动（LED Drivers）**:

   在LED照明应用中，2SK2168-VB 可以用作LED驱动器中的开关元件，控制LED的亮度和工作模式。其适中的电流承载能力和低导通电阻有助于提高LED驱动器的效率和稳定性。

3. **电池管理（Battery Management）**:

   该器件适用于低功率电池管理系统中，例如便携式设备、电子玩具等。其低功率特性有助于延长电池寿命并提高充放电效率。

4. **工业控制（Industrial Control）**:

   在工业控制系统中，2SK2168-VB 可以用作低功率开关控制元件，用于控制各种工业设备的操作。其高可靠性和耐压特性适合在工业环境中长时间稳定运行。

以上是2SK2168-VB 在低功率应用中的典型应用场景。其特性使其成为多种电路设计中的理想选择，能够满足对功率、效率和可靠性要求较高的应用需求。