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MOS(场效应管)（85885）

MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor，即金属氧化物合成半导体的场效应晶体管），属于绝缘栅型。在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达10^15Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。

封装

TO-252
SOT-23
SOP-8
TO252
SOT-223
SOP8
DFN5X6
TO-252-2
SOT-89
TO220
TO-263-2
TO220F
SOT23-3
TO263
SOT-23-5
SOT-23-3
SOT-323
SOT-563
5X6-3X3
SO-8
DFN5060-8
SOT223
SOT23
DFN5060
TO-263
TSOT-5
TO247
SOT-23-3L
TSOP-6
SOT-363
SOT23-6
SOD-323
TO251
DFN3333-8
SOT89
TO-220
SOT-523
SOD-123
X
PDFN5X6
DFN8(5X6)
DFN3X3
DFN3333
SOT-23-6L
SOT-26
SOT-23-6
TSSOP-8
TO-252-2-L
DFN2X2
TO-220F
SOT-723
DFN5X6A-8_EP1
PDFN5X6-8L
TO-252-L
SOT23-3L
DFN3030-8
DFN8(3X3)
SOP--8
SOT-89-3
SC70-6
PDFN3X3
QFN8(5X6)
SOT523
SO8
SOT23-6L
DFN3030
TSSOP8
TO3P
U-DFN2020-6
DFNWB22-6L
SOP-8L
SC70-3
PDFN5060-8L
SOT25
SC-70-6
SOT-25
SOT-223-4
PMPAK-5X6
DFN2X2-6L
SC-59
TO-247
DFN5X6-8L
SOT-223-3
DPAK
TO-252AA
PPAK5X6
TO-252-3L
PDFN3X3-8L
DFN1006L-3
DFN1006
PRPAK5*6
SOP-8P
SOT26
DFN5*6
DFN5X6-8
SC-70
SOT-89-3L
DFN5X6L-8
TO262
DFN-85X6
SOT-23S
DFN3333-8L
PDFN3.3X3.3-8L
DFN5X6-L
QFN8(3X3)
SOD123
DFN1006-3L
DFN3X3-8L
PPAK3X3
TOLL
DFN2020-6L
TO-252-2L
DFN2020MD6
PDFN3333-8L
PDFN3333
DFN5060-8L
PRPAK3*3
TSOT-23-6
SOT-163
SOD-523
SOT323
DFN2020-6
SOT723
TO252DPAK
PDFN3*3
SOIC-8
PDFN5*6
PDFN5060
TO-220AB
DFN2020
PDFN3.3X3.3
SOT669
T0-220F
TO-251
DFN-83.3X3.3
PDFN5*6-8L
PRPAK5X6
QFN5X6
ITO-220AB
SOT163
TO-252-4L
SOT-235
DFN2X2-6
DFN3*3
QFN3X3
SOT89-3
TSOT26
D2-PAK
DFN5060L-8
DFN226
TO252-4L
SC75-3
T0-220
SOT363
TO-251A
WDFN-6
POWERPAK-SO-8
PDFN5*6-8
T0-252
DFN3.3X3.3
PDFN3*3-8
TO-220TO-252DFN5*6
DFN1006-3
SOT-346T
PMPAK-3X3
SOT563
SOT89-3L
DFN5*6-8
PDFN3030
PG-TDSON-8
SOT23-3S
SSOP5
DFN3X3-8
SC75-6
DFN3333*8
SC-62
SOT-23L
TSOP6
DFN8(3X2)-B
PDFN3*3-8L
PRPAK3X3
DFN1006-2
TO252-2L
DFN2X2-6PP
SOT-23N
SOT223-3
TO-3P
TO92
TSONADVANCE
D-PAK
SOD-882
TO-252-3
TSOP6L
SOP8DUAL
SOT-153
DFN2020B-6L
DFN22-6L
DFN6(2X2)
PDFN5X6-8LC
SC-70-6-L

连续漏极电流Id

-0.13
-12A
-13A
-15A
-2
-2.5
-3
-3.2
-3.8
-4
-4.1
-4.3
-5.1A
0.1
0.115
0.13
0.17
0.2
0.24
0.3
0.43
0.5
0.6
0.66
0.75
1.2
1.7
10
11.5A
115
12
12A
130
140A
17
18
2
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.8
2.9
200
20A
25
3
3.2
3.5
3.6
30A
3A
4
4.2
4.2A/5.8A/6A
4.5
42
5
5.2
5.3
5.8
50
6
6.5
6A
7
75A
8.8
80A
8A
9.6A
9A

漏源电压Vds

-100V
-12
-16
-18
-20
-30
-30V
-50
-55V
-60V
100
100V
12
150
150V
16
18
20
25
250
30
30V
50
60
60V
650V

栅极电压Vgs

+/-20V
± 8
±10
±12
±20
±8
10
12
16
20
20V
30
30V
6
8

功耗PD

1.25
2
2.5
1.4
0.1
0.225
0.3
0.35
1
0.15
0.2
0.36
0.5
0.54
0.9
1.2
1.3
1.5
1.6
1.7W
110W
120
150
2.2
2.5W
2.6W
3
3.1
3.5W
300
30W
32.6W
320W
35W
40W
45W
5
50W
5W
79
83W
85W

Rds（on）(mΩ)

0.0035
0.004
0.0135
0.015
0.02
0.024
0.026
0.038
0.043
0.047
0.066
0.076
0.1
0.13
0.155
0.16
0.24
0.25
0.38
0.41
0.5
1.6
10
100
100MΩ
105
110
12
120
13
13.5
13.5MΩ
150
17
190
2
200MΩ
290MΩ
3
30
30MΩ
320
5
5.6MΩ
52
62MΩ
7.5
7.5MΩ
80
8000
85
87
9.1MΩ
90
900
95MΩ

极性

品牌

NK/南科功率
VBSEMI/微碧半导体
JG-SEMI/台湾金锆
CMOS/场效应半导体
GALAXY/银河微
MSV/萌盛微
OSEN/欧芯
TASUND/泰盛达
KEXIN/科信
MENGKE/盟科
NCE/新洁能
XINWO/鑫沃
FEIHONG/飞虹
WILDGOOSE/威谷
FOSAN/富信
ELECSUPER/静芯微
LRC/乐山
SHIKUES/時科
GK/固得沃克
SEMIWELL/矽门微
TE-ONG/拓能
KUU
SWIRE/太古
HZH/华之海
HGSEMI/华冠
TAYCHIPST/台芯
GAOGE/高格芯
CJ/长晶
FM/富满
NSD/南盛达
PRISEMI/芯导
XBLW/芯伯乐
APM/永源
MICRONE/微盟

筛选条数：85885

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国产正品

共 85885 条

型号	品牌	批号	封装	数量	仓库	描述	供应商
AO3402 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：30；连续漏极电流ID：4；漏源电压VDS：30；连续漏极电流ID：4；	深圳市永裕泰电子有限公司
NCE01P13K MOS(场效应管)	NCE/新洁能	23+	TO-252	89745	深圳	漏源电压VDS：-100V；连续漏极电流ID：-13A；栅极电压VGS：+/-20V；RDS（ON）(MΩ)：200MΩ；功耗PD：40W；漏源电压VDS：-100V；连续漏极电流ID：-13A；栅极电压VGS：+/-20V；RDS（ON）(MΩ)：200MΩ；功耗PD：40W；	深圳市淘芯电子有限公司
SI2300DS-T1-GE3 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：20；连续漏极电流ID：6；漏源电压VDS：20；连续漏极电流ID：6；	深圳市永裕泰电子有限公司
IRLML5203TRPBF MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：-30；连续漏极电流ID：-3；漏源电压VDS：-30；连续漏极电流ID：-3；	深圳市永裕泰电子有限公司
SI2333CDS-T1-GE3 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：-12；连续漏极电流ID：-4.3；漏源电压VDS：-12；连续漏极电流ID：-4.3；	深圳市永裕泰电子有限公司
XWN1018K 中低压MOS管	XINWO/鑫沃	23+	TO-252	30000000	深圳	连续漏极电流ID：50；RDS（ON）(MΩ)：17；漏源电压VDS：100；栅极电压VGS：±20；漏源电压VDS：100；栅极电压VGS：±20； RDS（ON）(MΩ)：17；连续漏极电流ID：50；RDS（ON）(MΩ)：17；漏源电压VDS：100；栅极电压VGS：±20；漏源电压VDS：100；栅极电压VGS：±20； RDS（ON）(MΩ)：17；	深圳东为电子科技有限公司
AO3400 中低压MOS管	XINWO/鑫沃	23+	SOT23	30000000	深圳	连续漏极电流ID：4.2A/5.8A/6A；连续漏极电流ID：4.2A/5.8A/6A；	深圳东为电子科技有限公司
10N65 MOS(场效应管)	GK/固得沃克	2024+	TO-252/TO-220F	288000	深圳	RDS（ON）(MΩ)：900； RDS（ON）(MΩ)：900；	江苏固得沃克微电子科技有限公司
AO4407 MOS(场效应管)	KEXIN/科信	24+	SOP-8	40000	深圳	漏源电压VDS：30；连续漏极电流ID：12；栅极电压VGS：20；RDS（ON）(MΩ)：30；功耗PD：3.1；漏源电压VDS：30；连续漏极电流ID：12；栅极电压VGS：20；RDS（ON）(MΩ)：30；功耗PD：3.1；	广东科信电子有限公司
NCE6012AS MOS(场效应管)	NCE/新洁能	23+	SOP-8	52000	深圳	漏源电压VDS：60V；连续漏极电流ID：12A；栅极电压VGS：20V；RDS（ON）(MΩ)：9.1MΩ；功耗PD：3.5W；漏源电压VDS：60V；连续漏极电流ID：12A；栅极电压VGS：20V；RDS（ON）(MΩ)：9.1MΩ；功耗PD：3.5W；	深圳市淘芯电子有限公司
WNM2021 MOS(场效应管)	KUU		SOT-323	30000		漏源电压VDS：20；连续漏极电流ID：0.75；漏源电压VDS：20；连续漏极电流ID：0.75；	深圳市永裕泰电子有限公司
NCE3080KA MOS(场效应管)	NCE/新洁能	23+	TO-252	40000	深圳	漏源电压VDS：30V；连续漏极电流ID：80A；栅极电压VGS：+/-20V；RDS（ON）(MΩ)：7.5MΩ；功耗PD：83W；漏源电压VDS：30V；连续漏极电流ID：80A；栅极电压VGS：+/-20V；RDS（ON）(MΩ)：7.5MΩ；功耗PD：83W；	深圳市淘芯电子有限公司
8N10 低压MOS管	NK/南科功率	2025+	SOT-89	1008	深圳	极性：N；连续漏极电流ID：8A； RDS（ON）(MΩ)：110；漏源电压VDS：100；栅极电压VGS：20；功耗PD：5W；漏源电压VDS：100；栅极电压VGS：20；极性：N；极性：N；连续漏极电流ID：8A； RDS（ON）(MΩ)：110；漏源电压VDS：100；栅极电压VGS：20；功耗PD：5W；漏源电压VDS：100；栅极电压VGS：20；极性：N；	深圳市南科功率半导体有限公司
AO3401 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：-30；连续漏极电流ID：-4.1；漏源电压VDS：-30；连续漏极电流ID：-4.1；	深圳市永裕泰电子有限公司
30N10 MOS(场效应管)	XINWO/鑫沃		TO-252	30000000		极性：N；连续漏极电流ID：30A； RDS（ON）(MΩ)：30；漏源电压VDS：100；极性：N；连续漏极电流ID：30A； RDS（ON）(MΩ)：30；漏源电压VDS：100；	深圳东为电子科技有限公司
NCE6009AS MOS(场效应管)	NCE/新洁能	23+	SOP-8	20000	深圳	漏源电压VDS：60V；连续漏极电流ID：9A；栅极电压VGS：+/-20V；RDS（ON）(MΩ)：13.5MΩ；功耗PD：2.6W；漏源电压VDS：60V；连续漏极电流ID：9A；栅极电压VGS：+/-20V；RDS（ON）(MΩ)：13.5MΩ；功耗PD：2.6W；	深圳市淘芯电子有限公司
ZS3400 MOS(场效应管)	HZH/华之海	24+	SOT-23	8888000		连续漏极电流ID：6A；连续漏极电流ID：6A；	深圳市华之海实业有限公司
AO3422 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：60；连续漏极电流ID：3；漏源电压VDS：60；连续漏极电流ID：3；	深圳市永裕泰电子有限公司
2N7002-7-F MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：60；连续漏极电流ID：0.115；漏源电压VDS：60；连续漏极电流ID：0.115；	深圳市永裕泰电子有限公司
SI2305CDS-T1-GE3 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：-20；连续漏极电流ID：-4；漏源电压VDS：-20；连续漏极电流ID：-4；	深圳市永裕泰电子有限公司
NCE6075 MOS(场效应管)	NCE/新洁能	23+	TO-220	5000	深圳	漏源电压VDS：60V；连续漏极电流ID：75A；栅极电压VGS：+/-20V；功耗PD：110W；漏源电压VDS：60V；连续漏极电流ID：75A；栅极电压VGS：+/-20V；功耗PD：110W；	深圳市淘芯电子有限公司
SI2308CDS-T1-GE3 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：60；连续漏极电流ID：3；漏源电压VDS：60；连续漏极电流ID：3；	深圳市永裕泰电子有限公司
IRLML6401TRPBF MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：-12；连续漏极电流ID：-4.3；漏源电压VDS：-12；连续漏极电流ID：-4.3；	深圳市永裕泰电子有限公司
AO3404 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：30；连续漏极电流ID：5.8；漏源电压VDS：30；连续漏极电流ID：5.8；	深圳市永裕泰电子有限公司
BSS138-7-F MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：50；连续漏极电流ID：0.3；漏源电压VDS：50；连续漏极电流ID：0.3；	深圳市永裕泰电子有限公司
SI2310CDS-T1-GE3 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：60；连续漏极电流ID：3；漏源电压VDS：60；连续漏极电流ID：3；	深圳市永裕泰电子有限公司
2SK3019T-7-F MOS(场效应管)	KUU		SOT-523	30000		漏源电压VDS：30；连续漏极电流ID：0.1；漏源电压VDS：30；连续漏极电流ID：0.1；	深圳市永裕泰电子有限公司
SI2301CDS-T1-GE3 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：-20；连续漏极电流ID：-3；漏源电压VDS：-20；连续漏极电流ID：-3；	深圳市永裕泰电子有限公司
SI2302CDS-T1-GE3 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：20；连续漏极电流ID：2.9；漏源电压VDS：20；连续漏极电流ID：2.9；	深圳市永裕泰电子有限公司
AO3435 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：-20；连续漏极电流ID：-4；漏源电压VDS：-20；连续漏极电流ID：-4；	深圳市永裕泰电子有限公司

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华强电子网国产品牌站共找到85885个MOS(场效应管)相关产品，包含了MOS(场效应管)型号、品牌、封装、参数等相关信息。MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Se...MOS(场效应管)相关品牌：XINWO/鑫沃、NK/南科功率、TAYCHIPST/台芯、NK/南科功率、OSEN/欧芯等。MOS(场效应管)常用型号：WNM2021、AO3402、IRLML6401TRPBF、AO3402、XWN1018K等。

华强电子网 国产品牌

产品分类

MOS(场效应管)（85885）

封装

连续漏极电流Id

漏源电压Vds

栅极电压Vgs

功耗PD

Rds（on）(mΩ)

极性

品牌

华强电子网 国产品牌

产品分类

MOS(场效应管)（85885）

封装

连续漏极电流Id

漏源电压Vds

栅极电压Vgs

功耗PD

Rds（on）(mΩ)

极性

品牌

华强电子网国产品牌