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MOS(场效应管)（59597）

MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor，即金属氧化物合成半导体的场效应晶体管），属于绝缘栅型。在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达10^15Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。

封装

TO-252
SOT-23
SOP-8
TO-252-2
SOT-223
DFN5X6
SOT-89
TO-263-2
SOT-23-5
SOT-23-3
SOP8
SO-8
SOT-323
TO252
TSOT-5
TO-263
TSOP-6
SOT-23-3L
DFN5060-8
SOT223
SOT-363
SOT23
DFN5060
SOT-563
X
SOD-123
SOD-323
SOT89
SOT-523
TO-220
DFN3333-8
SOT-23-6L
SOT-26
SOT23-3
DFN3X3
TO220
TO-252-2-L
DFN3333
SOT23-6
TO-252-L
TO-220F
TSSOP-8
TO263
SOT23-3L
TO-251
SOT-23-6
SOT-723
PDFN5X6
PDFN5X6-8L
SO8
PDFN5060-8L
PMPAK-5X6
SOT-89-3
TO252-3L
TO220F
PPAK5X6
SC-70-6
SOP-8L
DFN2X2
PDFN5*6-8L
SC-59
TO-252AA
DFN2X2-6L
SOT-223-3
SOT-25
SC-70
DFN1006L-3
DFN3030-8
SOP-8P
SOT23-6L
PRPAK5*6
TO220-3L
DFN5X6A-8_EP1
SOT-223-4
DFN5X6L-8
TO251
SOP--8
SOT25
SOT523
SOT-23S
DFN1006
DFN5X6-8
DFN5X6-L
DFN3030
PDFN3333-8L
DFN3333-8L
PDFN3.3X3.3-8L
SOD123
SOT-89-3L
DFN-85X6
PPAK3X3
DFN5X6-8L
U-DFN2020-6
PDFN3*3-8L
TSOT-23-6
DFN5060-8B
DFN5060-8L
PDFN3X3-8L
SOT26
DFN1006-3L
DFN3333-8A
TO252DPAK
TO263-3L
DFN2020-6L
TSSOP8
PRPAK3*3
TO-3P
SC70-6
SOT163
SOIC-8
TO-247
T0-220F
SOT23E
TO-252-3L
ITO-220AB
PRPAK5X6
TO-252-2L
DFN5*6
SOT-163
TO-220AB
DFN2020
DFN3X3-8L
SOT-235
SOT89-3L
TOLL
DFN2020-6
TO220F-3L
DFN226
DFN2X2-6
PDFN3.3X3.3
T0-220
TO-251A
TSOP6
DFN-83.3X3.3
PMPAK-3X3
PDFN5*6-8
DFN2020-6S
DFN3.3X3.3
PDFN3*3-8
SOT23L
T0-252
TO-220TO-252DFN5*6
DFN2020MD6
SOT323
SOT363
DFN3*3
PDFN3X3
SSOP5
TO247-3L
DFN5*6-8
TO252-4L
TSOT26
DFN3333*8
SC-62
SOT23-3S
SOT723
TO-252-4L
DFN2X2-6PP
PDFN3*3
PRPAK3X3
SOT-23L
SOT457
D-PAK
DFN3030-8B
SC-88
SC70-3
SOP8DUAL
SOT-153
SOT-23N
DFN2020B-6L
SOT89-3
TSOP6L
PDFN5X6-8LC
DFN22-6L
DFN1006-3
DFN22
DFN3333X8
TO252-2L
DFN5060L-8
SO-08
SOT23S
TO-252251
TSONADVANCE
HWSON-8
SOT23-6LDUAL
TO251-3L
WDFN-6
EDFN22
SOT-233
SOT-346T
PPAK5*6
SOT563
8-SO
SC-95
SOT-346
ES6
SOT-883
TO252-2
UDFN6
DFN3.3X3.3A-8_EP1

漏源电压Vds

-100V
-12
-16
-18
-20
-30
-30V
-50
-55V
-60V
100
100V
12
150
150V
16
18
20
25
250
30
30V
50
564
60
60V
650V
65456

连续漏极电流Id

-0.13
-12A
-13A
-15A
-2
-2.5
-3
-3.2
-3.8
-4
-4.1
-4.3
-5.1A
0.1
0.115
0.13
0.17
0.2
0.24
0.3
0.43
0.5
0.6
0.66
0.75
1
1.2
1.7
10
11.5A
115
12
12A
130
140A
17
18
2
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.8
2.9
200
20A
25
3
3.2
3.5
3.6
30A
3A
4
4.2
4.5
42
5
5.2
5.3
5.8
50
5645
6
6.5
6.5A
7
75A
8.8
80A
9.6A
9A

栅极电压Vgs

+/-20V
± 8
±10
±12
±20
10
12
16
20
20V
30
30V
456
564
6
8

功耗PD

0.1
0.15
0.2
0.225
0.3
0.35
0.36
0.5
0.54
0.9
1
1.2
1.25
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7W
110W
120
150
2
2.0W
2.2
2.5
2.5W
2.6W
3
3.1
3.5W
300
30W
32.6W
320W
35W
40W
4564
45W
5
50W
64
79
83W
85W

Rds（on）(mΩ)

0.0035
0.004
0.0135
0.015
0.02
0.024
0.026
0.038
0.043
0.047
0.066
0.076
0.1
0.13
0.155
0.16
0.24
0.25
0.38
0.41
0.5
1.6
10
10.5
100
100MΩ
105
12
120
13
13.5
13.5MΩ
150
17
190
2
200MΩ
26MΩ
290MΩ
3
30
30MΩ
320
5
5.6MΩ
52
62MΩ
656
7.5
7.5MΩ
80
8000
85
87
9.1MΩ
90
95MΩ

极性

品牌

NK/南科功率
VBSEMI/微碧半导体
CMOS/场效应半导体
APM/永源
TASUND/泰盛达
GALAXY/银河微
DOINGTER/杜因特
JG-SEMI/台湾金锆
OSEN/欧芯
KEXIN/科信
MENGKE/盟科
FEIHONG/飞虹
NCE/新洁能
FOSAN/富信
XINWO/鑫沃
ELECSUPER/静芯微
WG/威谷微
LRC/乐山
GK/固得沃克
SHIKUES/時科
SLKOR/萨科微
TE-ONG/拓能
KUU
BC/四川蓝彩
YX/裕芯
TAYCHIPST/台芯
PRISEMI/芯导
HGSEMI/华冠
MDD/辰达行
FM/富满
GAOGE/高格芯
MICRONE/微盟
XBLW/芯伯乐
NATLINEAR/南麟
HONGYEX/宏业兴
HZH/华之海
JINGDAO/晶导微

筛选条数：59597

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参数有误?

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国产正品

共 59597 条

型号	品牌	批号	封装	数量	仓库	描述	供应商
SI2310DS-T1-GE3 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：20；连续漏极电流ID：5；漏源电压VDS：20；连续漏极电流ID：5；	深圳市永裕泰电子有限公司
XWN1018K 中低压MOS管	XINWO/鑫沃	23+	TO-252	30000000	深圳	连续漏极电流ID：50；RDS（ON）(MΩ)：17；漏源电压VDS：100；栅极电压VGS：±20；漏源电压VDS：100；栅极电压VGS：±20； RDS（ON）(MΩ)：17；连续漏极电流ID：50；RDS（ON）(MΩ)：17；漏源电压VDS：100；栅极电压VGS：±20；漏源电压VDS：100；栅极电压VGS：±20； RDS（ON）(MΩ)：17；	深圳东为电子科技有限公司
SI2333CDS-T1-GE3 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：-12；连续漏极电流ID：-4.3；漏源电压VDS：-12；连续漏极电流ID：-4.3；	深圳市永裕泰电子有限公司
SI2302CDS-T1-GE3 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：20；连续漏极电流ID：2.9；漏源电压VDS：20；连续漏极电流ID：2.9；	深圳市永裕泰电子有限公司
NCE01P13K MOS(场效应管)	NCE/新洁能	23+	TO-252	89745	深圳	漏源电压VDS：-100V；连续漏极电流ID：-13A；栅极电压VGS：+/-20V；RDS（ON）(MΩ)：200MΩ；功耗PD：40W；漏源电压VDS：-100V；连续漏极电流ID：-13A；栅极电压VGS：+/-20V；RDS（ON）(MΩ)：200MΩ；功耗PD：40W；	深圳市淘芯电子有限公司
AO3401 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：-30；连续漏极电流ID：-4.1；漏源电压VDS：-30；连续漏极电流ID：-4.1；	深圳市永裕泰电子有限公司
NCE6009AS MOS(场效应管)	NCE/新洁能	23+	SOP-8	20000	深圳	漏源电压VDS：60V；连续漏极电流ID：9A；栅极电压VGS：+/-20V；RDS（ON）(MΩ)：13.5MΩ；功耗PD：2.6W；漏源电压VDS：60V；连续漏极电流ID：9A；栅极电压VGS：+/-20V；RDS（ON）(MΩ)：13.5MΩ；功耗PD：2.6W；	深圳市淘芯电子有限公司
SI2324DS-T1-GE3 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：20；连续漏极电流ID：4.2；漏源电压VDS：20；连续漏极电流ID：4.2；	深圳市永裕泰电子有限公司
NCE65T360F MOS(场效应管)	NCE/新洁能	23+	TO-220F	110500	深圳	漏源电压VDS：650V；连续漏极电流ID：11.5A；栅极电压VGS：30V；RDS（ON）(MΩ)：290MΩ；功耗PD：32.6W；漏源电压VDS：650V；连续漏极电流ID：11.5A；栅极电压VGS：30V；RDS（ON）(MΩ)：290MΩ；功耗PD：32.6W；	深圳市淘芯电子有限公司
NCE6012AS MOS(场效应管)	NCE/新洁能	23+	SOP-8	52000	深圳	漏源电压VDS：60V；连续漏极电流ID：12A；栅极电压VGS：20V；RDS（ON）(MΩ)：9.1MΩ；功耗PD：3.5W；漏源电压VDS：60V；连续漏极电流ID：12A；栅极电压VGS：20V；RDS（ON）(MΩ)：9.1MΩ；功耗PD：3.5W；	深圳市淘芯电子有限公司
2SK3019T-7-F MOS(场效应管)	KUU		SOT-523	30000		漏源电压VDS：30；连续漏极电流ID：0.1；漏源电压VDS：30；连续漏极电流ID：0.1；	深圳市永裕泰电子有限公司
G1008B G1008 低压MOS管	NK/南科功率	2024+520	SOP-8	5888	深圳	极性：45；连续漏极电流ID：5； RDS（ON）(MΩ)：5；漏源电压VDS：65456；栅极电压VGS：456；功耗PD：4564；漏源电压VDS：564；栅极电压VGS：564；极性：654；连续漏极电流ID：5645； RDS（ON）(MΩ)：656；功耗PD：64；极性：45；连续漏极电流ID：5； RDS（ON）(MΩ)：5；漏源电压VDS：65456；栅极电压VGS：456；功耗PD：4564；漏源电压VDS：564；栅极电压VGS：564；极性：654；连续漏极电流ID：5645； RDS（ON）(MΩ)：656；功耗PD：64；	深圳市南科功率半导体有限公司
IRLML6401TRPBF MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：-12；连续漏极电流ID：-4.3；漏源电压VDS：-12；连续漏极电流ID：-4.3；	深圳市永裕泰电子有限公司
AO3407 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：-30；连续漏极电流ID：-4.1；漏源电压VDS：-30；连续漏极电流ID：-4.1；	深圳市永裕泰电子有限公司
AO3402 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：30；连续漏极电流ID：4；漏源电压VDS：30；连续漏极电流ID：4；	深圳市永裕泰电子有限公司
BSS138-7-F MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：50；连续漏极电流ID：0.3；漏源电压VDS：50；连续漏极电流ID：0.3；	深圳市永裕泰电子有限公司
AO3404 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：30；连续漏极电流ID：5.8；漏源电压VDS：30；连续漏极电流ID：5.8；	深圳市永裕泰电子有限公司
SI2300DS-T1-GE3 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：20；连续漏极电流ID：6；漏源电压VDS：20；连续漏极电流ID：6；	深圳市永裕泰电子有限公司
AO3400 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：30；连续漏极电流ID：5.8；漏源电压VDS：30；连续漏极电流ID：5.8；	深圳市永裕泰电子有限公司
SI2306BDS-T1-GE3 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	30000		漏源电压VDS：30；连续漏极电流ID：4；漏源电压VDS：30；连续漏极电流ID：4；	深圳市永裕泰电子有限公司
2N7002-7-F MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：60；连续漏极电流ID：0.115；漏源电压VDS：60；连续漏极电流ID：0.115；	深圳市永裕泰电子有限公司
NCE0130KA MOS(场效应管)	NCE/新洁能	23+	TO-252	32500	深圳	漏源电压VDS：100V；连续漏极电流ID：30A；栅极电压VGS：+/-20V；功耗PD：85W；漏源电压VDS：100V；连续漏极电流ID：30A；栅极电压VGS：+/-20V；功耗PD：85W；	深圳市淘芯电子有限公司
SI2305CDS-T1-GE3 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：-20；连续漏极电流ID：-4；漏源电压VDS：-20；连续漏极电流ID：-4；	深圳市永裕泰电子有限公司
AO3422 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：60；连续漏极电流ID：3；漏源电压VDS：60；连续漏极电流ID：3；	深圳市永裕泰电子有限公司
AO3415 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：-20；连续漏极电流ID：-4；漏源电压VDS：-20；连续漏极电流ID：-4；	深圳市永裕泰电子有限公司
NCE60P12K MOS(场效应管)	NCE/新洁能	23+	TO-252	2500	深圳	漏源电压VDS：-60V；连续漏极电流ID：-12A；栅极电压VGS：+/-20V；RDS（ON）(MΩ)：100MΩ；功耗PD：50W；漏源电压VDS：-60V；连续漏极电流ID：-12A；栅极电压VGS：+/-20V；RDS（ON）(MΩ)：100MΩ；功耗PD：50W；	深圳市淘芯电子有限公司
2N7002K-7-F MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：60；连续漏极电流ID：0.3；漏源电压VDS：60；连续漏极电流ID：0.3；	深圳市永裕泰电子有限公司
SI2301CDS-T1-GE3 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：-20；连续漏极电流ID：-3；漏源电压VDS：-20；连续漏极电流ID：-3；	深圳市永裕泰电子有限公司
IRLML5203TRPBF MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：-30；连续漏极电流ID：-3；漏源电压VDS：-30；连续漏极电流ID：-3；	深圳市永裕泰电子有限公司
SI2308CDS-T1-GE3 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	300000		漏源电压VDS：60；连续漏极电流ID：3；漏源电压VDS：60；连续漏极电流ID：3；	深圳市永裕泰电子有限公司

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华强电子网国产品牌站共找到59597个MOS(场效应管)相关产品，包含了MOS(场效应管)型号、品牌、封装、参数等相关信息。MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Se...MOS(场效应管)相关品牌：MENGKE/盟科、LRC/乐山、FOSAN/富信、FM/富满、FM/富满等。MOS(场效应管)常用型号：NCE65T360F、AO3402、G1008B G1008、AO3422、AO3422等。

华强电子网 国产品牌

产品分类

MOS(场效应管)（59597）

封装

漏源电压Vds

连续漏极电流Id

栅极电压Vgs

功耗PD

Rds（on）(mΩ)

极性

品牌

华强电子网 国产品牌

产品分类

MOS(场效应管)（59597）

封装

漏源电压Vds

连续漏极电流Id

栅极电压Vgs

功耗PD

Rds（on）(mΩ)

极性

品牌

华强电子网国产品牌