国产MOS(场效应管)产品_品牌_参数_供应商

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MOS(场效应管)（2402）

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封装

TO-220
SOT-23
TO-252
SOP-8
TO-263
TO-220F
DFN5X6-8L
TO-251
SOT-23-3L
SOT-233
TO-247
SOT-223
SOT-23-3
DFN-85*6
SOT23-6
DFN3.3X3.3-8L
TO-3P
SOT-523
TSSOP-8
SOT-23-6L
SOT-89
TO251
SOT23-3L
SOT-363
TO-263T
TO-263-7L
DFN-83.3*3.3
DFN2X2-6L
SOT23-6L
TO-251S
TO-252-4L
DFN
TO-92
TOLL
PDFN5*6-8L-A
SOP08
TO-251A
DFN5*6-8L
DFN56-8
SOT-23-6
SOT-323
SOT723
TO-262
TSSOP8
263-5L
DFN3.3*3.3-8L
SOIC-8
TO-220H
CSP
DFN1006-3
DFN2X3-8L
DFN3.33.3-8
DNF56-8L
PDFN5*6-8L-B
SC-59
SOT-252
TO-263-2L
TSOP-6
DFN22-6
DFN2X3-6L
DFN3X3-8L
DFN5X6-8
DNF
NCE609
PDFN3.33.3-8
SC-89
SOT-2
SOT-233L
SOT-23SOT-23-3L
SOT23/-3
SOT23E
SOT883
SSOT-23
T0-220
T0-220F
TO-126
TO-220-3L-C
TO-220C
TO-220FA
TO-247A-LL
TO-252-2L
TO-LL
TO251S
TOLL8

漏源电压Vds

60V
20
30V
-30V
30
60
100V
40V
-40V
20V
-60V
-100V
-20
-55V
80V
-20V
-30
12
50
-12
650V
700V
100
150V
200
25
50V
85V

连续漏极电流Id

-15A
10A
12A
20A
-30A
-70A
0.1
5.8A
6.5A
80A
8A
-4
-4.2A
-40A
-50A
0.115
0.3
120A
150A
3
3A
4
4.5A
50A
5A
60A
6A
7A
-13A
-18A
-25A
-3
-4.1
-4.1A
-4.3
-4A
-6.5A
-9.1A
0.5
0.75
15A
160A
2.3
2.8
240A
4.2
4A
5
5.8
6.5
9A
-1.6A
-3A
0.115A
0.17
0.1A
0.22A
0.24
0.3A
0.43
0.6
0.66
1.2
1.7
10
100A
105A
115
12
130
18
18A
2
2.9
200
21A
25
3.2
3.5
35A
5.3
6
7
75A
8.8

栅极电压Vgs

+/-20V
20V
+/-12V
20
12
10
30V
8
±10
±20
+/-10V
30
6

功耗PD

3.1W
1.25W
3W
2.5
2W
1.25
1.4W
1.9W
40W
50W
65W
85W
0.35W
1.2W
2.0W
2.6W
220W
3.5W
45W
60W
70W
80W
95W
0.1
0.225
0.35
1
1.8W
120W
2
285W
30W
31.4W
340W
35W
46W
83W
90W
0.15
0.2
0.2W
0.3
0.36
0.5
0.54
1.2
1.3
1.4
1.5W
1.7W
110W
130W
140
150
170W
18W
1W
2.5W
200W
3.1
300
370W
5

Rds（on）(mΩ)

18MΩ
11.4MΩ
11.5MΩ
17MΩ
18.5MΩ
20MΩ
26MΩ
30MΩ
32MΩ
56MΩ
9.1MΩ
95MΩ
1.8MΩ
10MΩ
12.3MΩ
1200MΩ
13.5MΩ
140MΩ
15MΩ
19MΩ
21MΩ
22MΩ
24MΩ
29MΩ
30
36MΩ
4.2MΩ
49MΩ
600MΩ
60MΩ
7.5MΩ
0.0035
0.004
0.0135
0.015
0.024
0.026
0.038
0.047
0.076
0.1
0.12
0.13
0.25
0.38
0.41
0.5
1.2Ω
1.3Ω
1.6
1.95Ω
10
10.2MΩ
105
11MΩ
12
120
13
13.5
14.8MΩ
150
160M?
190
2
3
5
5.6MΩ
5.8MΩ
6.5MΩ
64MΩ
7.5
8.3MΩ
8000
85
85MΩ
87

品牌

NCE/新洁能
CMOS/场效应半导体
KEXIN/科信
MENGKE/盟科
FEIHONG/飞虹
LRC/乐山
SANLIANSHENG/三联盛
SHIKUES/時科
FOSAN/富信
NATLINEAR/南麟
KUU
YX/裕芯
FM/富满电子
HGSEMI/华冠
蓝箭
CBI/创基
UMW/友台半导体

筛选条数：2402 清空筛选应用筛选

所在地区

国产正品

共 2402 条

型号	品牌	批号	封装	参数规格	供应商
SI2310CDS-T1-GE3 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	漏源电压VDS：60；连续漏极电流ID：3；漏源电压VDS：60；连续漏极电流ID：3；	深圳市永裕泰电子有限公司
2N7002-7-F MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	漏源电压VDS：60；连续漏极电流ID：0.115；漏源电压VDS：60；连续漏极电流ID：0.115；	深圳市永裕泰电子有限公司
SI2302CDS-T1-GE3 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	漏源电压VDS：20；连续漏极电流ID：2.9；漏源电压VDS：20；连续漏极电流ID：2.9；	深圳市永裕泰电子有限公司
SI2310DS-T1-GE3 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	漏源电压VDS：20；连续漏极电流ID：5；漏源电压VDS：20；连续漏极电流ID：5；	深圳市永裕泰电子有限公司
NCE6009AS MOS(场效应管)	NCE/新洁能	20+	SOP-8	漏源电压VDS：60V；连续漏极电流ID：9A；栅极电压VGS：+/-20V；RDS（ON）(MΩ)：13.5MΩ；功耗PD：2.6W；漏源电压VDS：60V；连续漏极电流ID：9A；栅极电压VGS：+/-20V；RDS（ON）(MΩ)：13.5MΩ；功耗PD：2.6W；	深圳市淘芯电子有限公司
NCE3080KA MOS(场效应管)	NCE/新洁能	2020+	TO-252	漏源电压VDS：30V；连续漏极电流ID：80A；栅极电压VGS：+/-20V；RDS（ON）(MΩ)：7.5MΩ；功耗PD：83W；漏源电压VDS：30V；连续漏极电流ID：80A；栅极电压VGS：+/-20V；RDS（ON）(MΩ)：7.5MΩ；功耗PD：83W；	深圳市淘芯电子有限公司
NCE6008AS MOS(场效应管)	NCE/新洁能	2020+	SOP-8	漏源电压VDS：60V；连续漏极电流ID：8A；栅极电压VGS：+/-20V；RDS（ON）(MΩ)：20MΩ；功耗PD：1.8W；漏源电压VDS：60V；连续漏极电流ID：8A；栅极电压VGS：+/-20V；RDS（ON）(MΩ)：20MΩ；功耗PD：1.8W；	深圳市淘芯电子有限公司
SI2324DS-T1-GE3 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	漏源电压VDS：20；连续漏极电流ID：4.2；漏源电压VDS：20；连续漏极电流ID：4.2；	深圳市永裕泰电子有限公司
NCE6012AS MOS(场效应管)	NCE/新洁能	2020	SOP-8	漏源电压VDS：60V；连续漏极电流ID：12A；栅极电压VGS：20V；RDS（ON）(MΩ)：9.1MΩ；功耗PD：3.5W；漏源电压VDS：60V；连续漏极电流ID：12A；栅极电压VGS：20V；RDS（ON）(MΩ)：9.1MΩ；功耗PD：3.5W；	深圳市淘芯电子有限公司
BSS138-7-F MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	漏源电压VDS：50；连续漏极电流ID：0.3；漏源电压VDS：50；连续漏极电流ID：0.3；	深圳市永裕泰电子有限公司
NCE3050K MOS(场效应管)	NCE/新洁能	20+	TO-252	漏源电压VDS：30V；连续漏极电流ID：50A；栅极电压VGS：+/-20V；RDS（ON）(MΩ)：10MΩ；功耗PD：60W；漏源电压VDS：30V；连续漏极电流ID：50A；栅极电压VGS：+/-20V；RDS（ON）(MΩ)：10MΩ；功耗PD：60W；	深圳市淘芯电子有限公司
AO3415 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	漏源电压VDS：-20；连续漏极电流ID：-4；漏源电压VDS：-20；连续漏极电流ID：-4；	深圳市永裕泰电子有限公司
NCE609 MOS(场效应管)	NCE/新洁能	20+	TO-252-4L	漏源电压VDS：40V；连续漏极电流ID：21A；栅极电压VGS：20V；RDS（ON）(MΩ)：19MΩ；功耗PD：40W；漏源电压VDS：40V；连续漏极电流ID：21A；栅极电压VGS：20V；RDS（ON）(MΩ)：19MΩ；功耗PD：40W；	深圳市淘芯电子有限公司
SI2333CDS-T1-GE3 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	漏源电压VDS：-12；连续漏极电流ID：-4.3；漏源电压VDS：-12；连续漏极电流ID：-4.3；	深圳市永裕泰电子有限公司
NCE30H12K MOS(场效应管)	NCE/新洁能	2020+	TO-252	漏源电压VDS：30V；连续漏极电流ID：120A；栅极电压VGS：+/-20V；RDS（ON）(MΩ)：4.2MΩ；功耗PD：120W；漏源电压VDS：30V；连续漏极电流ID：120A；栅极电压VGS：+/-20V；RDS（ON）(MΩ)：4.2MΩ；功耗PD：120W；	深圳市淘芯电子有限公司
AO3400 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	漏源电压VDS：30；连续漏极电流ID：5.8；漏源电压VDS：30；连续漏极电流ID：5.8；	深圳市永裕泰电子有限公司
SI2305CDS-T1-GE3 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	漏源电压VDS：-20；连续漏极电流ID：-4；漏源电压VDS：-20；连续漏极电流ID：-4；	深圳市永裕泰电子有限公司
2SK3019T-7-F MOS(场效应管)	KUU		SOT-523	漏源电压VDS：30；连续漏极电流ID：0.1；漏源电压VDS：30；连续漏极电流ID：0.1；	深圳市永裕泰电子有限公司
NCE6009AS MOS(场效应管)	NCE/新洁能	2020+	SOP-8	漏源电压VDS：60V；连续漏极电流ID：9A；栅极电压VGS：+/-20V；RDS（ON）(MΩ)：13.5MΩ；功耗PD：2.6W；漏源电压VDS：60V；连续漏极电流ID：9A；栅极电压VGS：+/-20V；RDS（ON）(MΩ)：13.5MΩ；功耗PD：2.6W；	深圳市淘芯电子有限公司
IRLML5203TRPBF MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	漏源电压VDS：-30；连续漏极电流ID：-3；漏源电压VDS：-30；连续漏极电流ID：-3；	深圳市永裕泰电子有限公司
NCE3420 MOS(场效应管)	NCE/新洁能	20+	SOT-23	漏源电压VDS：20V；连续漏极电流ID：6A；栅极电压VGS：+/-12V；RDS（ON）(MΩ)：18MΩ；功耗PD：1.25W；漏源电压VDS：20V；连续漏极电流ID：6A；栅极电压VGS：+/-12V；RDS（ON）(MΩ)：18MΩ；功耗PD：1.25W；	深圳市淘芯电子有限公司
AO3401 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	漏源电压VDS：-30；连续漏极电流ID：-4.1；漏源电压VDS：-30；连续漏极电流ID：-4.1；	深圳市永裕泰电子有限公司
WNM2021 MOS(场效应管)	KUU		SOT-323	漏源电压VDS：20；连续漏极电流ID：0.75；漏源电压VDS：20；连续漏极电流ID：0.75；	深圳市永裕泰电子有限公司
2N7002T-7-F MOS(场效应管)	KUU		SOT-523	漏源电压VDS：60；连续漏极电流ID：0.115；漏源电压VDS：60；连续漏极电流ID：0.115；	深圳市永裕泰电子有限公司
AO3404 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	漏源电压VDS：30；连续漏极电流ID：5.8；漏源电压VDS：30；连续漏极电流ID：5.8；	深圳市永裕泰电子有限公司
NCE6012AS MOS(场效应管)	NCE/新洁能	2020+	SOP-8	漏源电压VDS：60V；连续漏极电流ID：12A；栅极电压VGS：20V；RDS（ON）(MΩ)：9.1MΩ；功耗PD：3.5W；漏源电压VDS：60V；连续漏极电流ID：12A；栅极电压VGS：20V；RDS（ON）(MΩ)：9.1MΩ；功耗PD：3.5W；	深圳市淘芯电子有限公司
NCE4060K MOS(场效应管)	NCE/新洁能	2020+	TO-252	漏源电压VDS：40V；连续漏极电流ID：60A；栅极电压VGS：+/-20V；RDS（ON）(MΩ)：15MΩ；功耗PD：65W；漏源电压VDS：40V；连续漏极电流ID：60A；栅极电压VGS：+/-20V；RDS（ON）(MΩ)：15MΩ；功耗PD：65W；	深圳市淘芯电子有限公司
NCE6008AS MOS(场效应管)	NCE/新洁能	20+	SOP-8	漏源电压VDS：60V；连续漏极电流ID：8A；栅极电压VGS：+/-20V；RDS（ON）(MΩ)：20MΩ；功耗PD：1.8W；漏源电压VDS：60V；连续漏极电流ID：8A；栅极电压VGS：+/-20V；RDS（ON）(MΩ)：20MΩ；功耗PD：1.8W；	深圳市淘芯电子有限公司
NCE30H12K MOS(场效应管)	NCE/新洁能	20+	TO-252	漏源电压VDS：30V；连续漏极电流ID：120A；栅极电压VGS：+/-20V；RDS（ON）(MΩ)：4.2MΩ；功耗PD：120W；漏源电压VDS：30V；连续漏极电流ID：120A；栅极电压VGS：+/-20V；RDS（ON）(MΩ)：4.2MΩ；功耗PD：120W；	深圳市淘芯电子有限公司
SI2308CDS-T1-GE3 MOS(场效应管)	KUU		SOT-23	漏源电压VDS：60；连续漏极电流ID：3；漏源电压VDS：60；连续漏极电流ID：3；	深圳市永裕泰电子有限公司