商品介绍
TO263；P—Channel沟道；VDS=-60V；ID =-120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V；RDS(ON)=7mΩ@VGS=4.5V；VGS=±20V；Vth=-3V；
参数规格
SQM120P06-07L_GE3-VB 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供SQM120P06-07L_GE3-VB相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 SQM120P06-07L_GE3-VB 封装/规格：TO263 , TO263；P—Channel沟道；VDS=-60V；ID =-120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V；RDS(ON)=7mΩ@VGS=4.5V；VGS=±20V；Vth=-3V；。您可以在 SQM120P06-07L_GE3-VB 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解SQM120P06-07L_GE3-VB详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
