商品介绍
台积电流片，长电科技封装；TO247-4L；N—Channel沟道；650V；30A；RDS(ON)=70(mΩ)@VGS=18Vtyp(mΩ)；Vthtyp(V)=-10 / +20V；Vthtyp(V)=2~5；采用SiC技术；
参数规格
数据手册
TW083Z65C-VB 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供TW083Z65C-VB相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 TW083Z65C-VB 封装/规格：TO247-4 , 台积电流片，长电科技封装；TO247-4L；N—Channel沟道；650V；30A；RDS(ON)=70(mΩ)@VGS=18Vtyp(mΩ)；Vthtyp(V)=-10 / +20V；Vthtyp(V)=2~5；采用SiC技术；。您可以在 碳化硅MOSFET TW083Z65C-VB 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解TW083Z65C-VB详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
