商品介绍
台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；1200V；30A；RDS(ON)=80(mΩ)@VGS=18Vtyp(mΩ)；VGS=-10 / +22V；Vthtyp(V)=2~4V；采用SiC-S技术
参数规格
数据手册
SICW080N120Y-BP-VB 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供SICW080N120Y-BP-VB相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 SICW080N120Y-BP-VB 封装/规格：TO247-3 , 台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；1200V；30A；RDS(ON)=80(mΩ)@VGS=18Vtyp(mΩ)；VGS=-10 / +22V；Vthtyp(V)=2~4V；采用SiC-S技术。您可以在 碳化硅MOSFET SICW080N120Y-BP-VB 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解SICW080N120Y-BP-VB详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
