商品介绍
SIC；TO247；N—Channel沟道,1200V；60A；RDS(ON)=21mΩ@VGS=18V,VGS=-10/22V；Vth=2.5~4.5V；
参数规格
VBP112MC100-4L 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供VBP112MC100-4L相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 VBP112MC100-4L 封装/规格：TO247-4L , SIC；TO247；N—Channel沟道,1200V；60A；RDS(ON)=21mΩ@VGS=18V,VGS=-10/22V；Vth=2.5~4.5V；。您可以在 碳化硅MOSFET VBP112MC100-4L 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解VBP112MC100-4L详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
