产品列表
共计 52894 条库存
关键词字符必须2个及以上!
分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUK437-450B-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220
|
N-Ch,650V,9A,RDS(on)=500(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
NVMFS6B75NLT3G-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN8(5X6)
|
N-Ch,100V,30A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
|
|
|
|
FDD6296_NL-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
|
N-Ch,30V,80A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
5N30V-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TSSOP8
|
N+N-Ch,30V,8.6A,RDS(on)=12(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
FDD6690S-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
|
N-Ch,30V,80A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
XD3400-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOT23-3
|
N-Ch,30V,6.5A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
DI100N04PQ-AQ-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN8(5X6)
|
N-Ch,40V,90A,RDS(on)=2.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
|
|
|
|
TSM3462CX6 RF-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOT23-6
|
N-Ch,30V,6A,RDS(on)=26(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
FW138-TL-E-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOP8
|
P+P-Ch,-30V,-7.3A,RDS(on)=35(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
|
|
|
|
FHS9301-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN6(2X2)
|
P-Ch,-30V,-10A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
|
|
|
|
SIHFIB5N65A-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220F
|
N-Ch,650V,12A,RDS(on)=680(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
MTB7D8N03ARV8-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN8(3X3)
|
N-Ch,30V,35A,RDS(on)=7.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
F3703-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220
|
N-Ch,30V,260A,RDS(on)=1(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
9950GP-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220
|
N-Ch,80V,100A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
|
|
|
|
NCE65R180-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220
|
N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|