产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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VBZFB10N20
1
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,200V,8A,RDS(on)=270(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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VBGE1402
1
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低压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,40V,110A,RDS(on)=2.4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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VBP185R05
1
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平面高压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,850V,5A,RDS(on)=2200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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VBE1638A
1
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低压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,60V,45A,RDS(on)=21(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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VBL17R11
1
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平面高压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,700V,11A,RDS(on)=1050(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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VBZMB14N50S
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,500V,14A,RDS(on)=290(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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VBP112MC30
1
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,1200V,30A,RDS(on)=80(mΩ)@VGS=18V,VGS=-10 / +22,Vth=2~4
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VBL165R07
1
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平面高压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,650V,7A,RDS(on)=1200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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VBE1310
1
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低压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,70A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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VBE1203M
1
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中低压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,200V,10A,RDS(on)=245(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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VBMB16R11S
1
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,600V,11A,RDS(on)=380(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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VBZMB2N60
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,600V,2.4A,RDS(on)=3200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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VBL110MR03
1
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平面高压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,1000V,3A,RDS(on)=3300(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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VBPB19R11S
1
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO3P
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N-Ch,900V,11A,RDS(on)=580(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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VBMB15R24S
1
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中高压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,500V,24A,RDS(on)=120(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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