产品列表
共计 22704 条库存
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分类:
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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VBZL70N03
1
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,30V,98A,RDS(on)=2.4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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VBZMB11N65S
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,11A,RDS(on)=420(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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VBMB19R11S
1
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,900V,11A,RDS(on)=580(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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VBZMB10N80S
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,800V,10A,RDS(on)=600(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.3V
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VBL155R18
1
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平面高压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,550V,18A,RDS(on)=300(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3V
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VB165R01
1
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小信号MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,650V,1A,RDS(on)=8400(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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VBZE75N03
1
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,100A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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VBMB18R04
1
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平面高压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,800V,4A,RDS(on)=1800(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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VBMB165R10
1
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平面高压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,10A,RDS(on)=830(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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VBGMB1101M
1
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中低压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,110V,12A,RDS(on)=145(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
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VBP165R11S
1
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,650V,11A,RDS(on)=420(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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VBE1302
1
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低压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,120A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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VBL17R04
1
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平面高压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,700V,4A,RDS(on)=3200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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VBGQA1610
1
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低压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,60V,40A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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VBQA1606
1
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低压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,60V,80A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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