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VBSEMI NK DOINGTER TY ACTIVE HAMOS JG-SEMI LMSEMI SK
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低压MOS管 中高压MOS管 贴片三极管 中低压MOS管
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JG-SEMI/台湾金锆
26+
530000
TO-252
台湾芯片一比一参数对应进口可供更多
VBSEMI/微碧半导体
26+
48022700
TO252
IRFR4615TRPBF`AUIRFR4615TR`DMN3065LW-7`NTD6416ANLT4G
台积电晶圆长电封装微碧原装可长久大量供应
   
VBSEMI/微碧半导体
26+
48000
TO252
N-CH,100V,25A,RDS(ON)=55(MΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,VTH=1.8V
台积电晶圆长电封装微碧原装可长久大量供应
VBSEMI/微碧半导体
26+
498000
TO252
NTD6416ANL-1G`FQP11P06`2SK3599-01MR`SMK830F
台积电晶圆长电封装微碧原装可长久大量供应
NK/南科功率
2026+ROHS
253800
TO-252-2
南科-选型替代-可供应大量
   
NK/南科功率
2530+ROHS
10000
TO-252-2
南科功率-专注MOSFET
   
NK/南科功率
2026+ROHS
250102
TO-252
南科-选型替代-可供应大量
NK/南科功率
2615+ROHS
1063000
TO-252-2
NK-国产场效应管-南科
NTD6416ANLT4G-VB
替代参考
VBSEMI/微碧半导体
26+
478000
TO252
NTD6416ANL-1G`FQP11P06`2SK3599-01MR`SMK830F
台积电晶圆长电封装微碧原装可长久大量供应
NTD6416ANLT4G-VB
替代参考
VBSEMI/微碧半导体
26+
468000
TO252
N-CH,100V,25A,RDS(ON)=55(MΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,VTH=1.8V
台积电晶圆长电封装微碧原装可长久大量供应
VBSEMI/微碧半导体
26+
4870000
TO252
NTD6416ANL-1G`IXTQ22N50P`NVTFS5116PLTWG`BSS214NWH6327
台积电晶圆长电封装微碧原装可长久大量供应
   
VBSEMI/微碧半导体
26+
48000
TO-252
台积电晶圆长电封装微碧原装可长久大量供应
TY/台灣半導体
2618+
27348
TO-252
N 100V ±20V 19A
N1C348 原厂参数 提供技术支持
TY/台灣半導体
2618+
330348
TO-252
N1C348 原厂参数 提供技术支持
VBSEMI/微碧半导体
26+
48029600
TO252
台积电晶圆长电封装微碧原装可长久大量供应
SK/森浦科
24+
4540099
TO-252
MOS LDO AMPS
▊大量 ▊▊SK/森浦科▊▊完美兼容技术支持
LMSEMI/砺马
25+
849722
TO-252-2(DPAK)
原厂代理-替代进口-实在好用-支持定制
DOINGTER/杜因特
25+
245000
TO-252
全新台产货源稳包好用耐用
   
DOINGTER/杜因特
25+
25000
TO-252
全新台产货源稳包好用耐用
HAMOS/汉姆
25+
390000
TO252
汉姆原厂授权代理商
ACTIVE/台湾技领
24+
213893
TO-252-2L
专营MOS长期供应 可出样品
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