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P沟道MOS管（227）

金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，栅极上加有足够的正电压(源极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。

封装

TO-252
DFN-85X6
DFN-83.3X3.3
SOT-23-3L
TO-220
SOP-8
TO-263
TO-251A
SOT-23
SOP
SOT-89
TO-220F
SOT-523
SOT23-3
TO-251
TO-263-7L
TSOP-6
SOP8
SOT-323
TO-247
TO252

品牌

CMOS/场效应半导体
GALAXY/银河微
SWIRE/太古
SEMIWELL/矽门微
VBSEMI/微碧半导体
JG-SEMI/台湾金锆
OSEN/欧芯
XINWO/鑫沃
LRC/乐山
NCE/新洁能
XBLW/芯伯乐

筛选条数：227

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共 227 条

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SI2301CDS-T1-GE3-VB P沟道MOS管	VBSEMI/微碧半导体	25+	SOT23-3	48000	深圳	SI1499DH-T1-GE3\|SI3139KE-TP\|SI3402-TP SI1499DH-T1-GE3\|SI3139KE-TP\|SI3402-TP	深圳市微碧半导体有限公司

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产品分类

P沟道MOS管（227）

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