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P沟道MOS管（272）

金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，栅极上加有足够的正电压(源极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。

封装

TO-252
DFN-85X6
SOP-8
SOT-23-3L
DFN-83.3X3.3
TO-220
TO-251A
TO-263
SOT-23
TO263
SOT-89
TO-220F
SOT-523
SOT23-3
TO220
TSOP-6
SOP8
SOT-323
TO-247
TO-251
TO-263-7
TO252

品牌

CMOS/场效应半导体
VBSEMI/微碧半导体
GALAXY/银河微
SEMIWELL/矽门微
JG-SEMI/台湾金锆
OSEN/欧芯
XINWO/鑫沃
LRC/乐山
NCE/新洁能
XBLW/芯伯乐

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共 272 条

型号	品牌	批号	封装	数量	仓库	描述	供应商
CMU12P10S P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-251A	11000	惠州	CMU12P10S,TO-251A,MOS,P场,-100V,-9A,0.24Ω,40W CMU12P10S,TO-251A,MOS,P场,-100V,-9A,0.24Ω,40W	广东场效应半导体有限公司
2SJ356 P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	SOT-89	51000	惠州	2SJ356,SOT-89,MOS,P场,-60V,-3.5A,0.1Ω,1.5W 2SJ356,SOT-89,MOS,P场,-60V,-3.5A,0.1Ω,1.5W	广东场效应半导体有限公司
CMD5943 P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-252	51000	惠州	CMD5943,TO-252,MOS,P场,-100V,-20A,0.11Ω,50W CMD5943,TO-252,MOS,P场,-100V,-20A,0.11Ω,50W	广东场效应半导体有限公司
CMD30P05 P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-252	5985	惠州	CMD30P05,TO-252,MOS,P场,-50V,-28A,0.044Ω,45W CMD30P05,TO-252,MOS,P场,-50V,-28A,0.044Ω,45W	广东场效应半导体有限公司
CMB9640B P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-263	10	惠州	CMB9640B,TO-263,MOS,P场,-200V,-11A,0.48Ω,125W CMB9640B,TO-263,MOS,P场,-200V,-11A,0.48Ω,125W	广东场效应半导体有限公司
CMD100P06 P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-252	9	惠州	CMD100P06,TO-252,MOS,P场,-60V,-80A,0.01Ω,160W CMD100P06,TO-252,MOS,P场,-60V,-80A,0.01Ω,160W	广东场效应半导体有限公司
BC807 P沟道MOS管	SEMIWELL/矽门微	24+	SOT-523	500000		详情见规格书详情见规格书	矽门微（上海）电子有限公司
CMSA6683 P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	DFN-85X6	5999	惠州	CMSA6683,DFN-8 5X6,MOS,P场,-20V,-54A,,40W CMSA6683,DFN-8 5X6,MOS,P场,-20V,-54A,,40W	广东场效应半导体有限公司
CMSA80P06A P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	DFN-85X6	5999	惠州	CMSA80P06A,DFN-8 5X6,MOS,P场,-60V,-80A,0.015Ω,95W CMSA80P06A,DFN-8 5X6,MOS,P场,-60V,-80A,0.015Ω,95W	广东场效应半导体有限公司
CMD90P04B P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-252	51000	惠州	CMD90P04B,TO-252,MOS,P场,-40V,-90A,0.0068Ω,150W CMD90P04B,TO-252,MOS,P场,-40V,-90A,0.0068Ω,150W	广东场效应半导体有限公司
CMD150P025 P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-252	21000	惠州	CMD150P025,TO-252,MOS,P场,-25V,-120A,0.0045Ω,130W CMD150P025,TO-252,MOS,P场,-25V,-120A,0.0045Ω,130W	广东场效应半导体有限公司
CMP5940B P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-220	21000	惠州	CMP5940B,TO-220,MOS,P场,-100V,-25A,0.12Ω,55W CMP5940B,TO-220,MOS,P场,-100V,-25A,0.12Ω,55W	广东场效应半导体有限公司
CMU5951 P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-251A	11000	惠州	CMU5951,TO-251A,MOS,P场,-100V,-30A,0.065Ω,120W CMU5951,TO-251A,MOS,P场,-100V,-30A,0.065Ω,120W	广东场效应半导体有限公司
CMU5950A P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-251A	21000	惠州	CMU5950A,TO-251A,MOS,P场,-100V,-33A,0.052Ω,50W CMU5950A,TO-251A,MOS,P场,-100V,-33A,0.052Ω,50W	广东场效应半导体有限公司
CMS6679S P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	SOP-8	51000	惠州	CMS6679S,SOP-8,MOS,P场,-30V,-18A,0.022Ω,3W CMS6679S,SOP-8,MOS,P场,-30V,-18A,0.022Ω,3W	广东场效应半导体有限公司
CMSA6411 P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	DFN-85X6	21000	惠州	CMSA6411,DFN-8 5X6,MOS,P场,-20V,-85A,,160W CMSA6411,DFN-8 5X6,MOS,P场,-20V,-85A,,160W	广东场效应半导体有限公司
CMD180P04 P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-252	5416	惠州	CMD180P04,TO-252,MOS,P场,-40V,-100A,0.005Ω,136W CMD180P04,TO-252,MOS,P场,-40V,-100A,0.005Ω,136W	广东场效应半导体有限公司
2SA1774T P沟道MOS管	SEMIWELL/矽门微	24+	SOT-523	500000		详情见规格书详情见规格书	矽门微（上海）电子有限公司
CMS6679K P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	SOP-8	51000	惠州	CMS6679K,SOP-8,MOS,P场,-30V,-18A,0.016Ω,3W CMS6679K,SOP-8,MOS,P场,-30V,-18A,0.016Ω,3W	广东场效应半导体有限公司
CMN5P04AM P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	SOT-23-3L	51000	惠州	CMN5P04AM,SOT-23-3L,MOS,P场,-40V,-5A,0.07Ω,2.5W CMN5P04AM,SOT-23-3L,MOS,P场,-40V,-5A,0.07Ω,2.5W	广东场效应半导体有限公司
CMD3P50A P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-252	21000	惠州	CMD3P50A,TO-252,MOS,P场,-500V,-3A,7Ω,45W CMD3P50A,TO-252,MOS,P场,-500V,-3A,7Ω,45W	广东场效应半导体有限公司
CMD80P06B P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-252	5271	惠州	CMD80P06B,TO-252,MOS,P场,-60V,-80A,0.016Ω,135W CMD80P06B,TO-252,MOS,P场,-60V,-80A,0.016Ω,135W	广东场效应半导体有限公司
CMD75P02B P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-252	21000	惠州	CMD75P02B,TO-252,MOS,P场,-20V,-75A,0.0075Ω,60W CMD75P02B,TO-252,MOS,P场,-20V,-75A,0.0075Ω,60W	广东场效应半导体有限公司
CMSA40P04 P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	DFN-85X6	21000	惠州	CMSA40P04,DFN-8 5X6,MOS,P场,-40V,-40A,0.014Ω,75W CMSA40P04,DFN-8 5X6,MOS,P场,-40V,-40A,0.014Ω,75W	广东场效应半导体有限公司
CMD20P03A P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-252	5999	惠州	CMD20P03A,TO-252,MOS,P场,-30V,-25A,0.035Ω,50W CMD20P03A,TO-252,MOS,P场,-30V,-25A,0.035Ω,50W	广东场效应半导体有限公司
CMU90P03 P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-251A	11000	惠州	CMU90P03,TO-251A,MOS,P场,-30V,-90A,0.0088Ω,135W CMU90P03,TO-251A,MOS,P场,-30V,-90A,0.0088Ω,135W	广东场效应半导体有限公司
CMSC3007B P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	DFN-83.3X3.3	51000	惠州	CMSC3007B,DFN-8 3.3X3.3,MOS,P场,-30V,-40A,0.014Ω,30W CMSC3007B,DFN-8 3.3X3.3,MOS,P场,-30V,-40A,0.014Ω,30W	广东场效应半导体有限公司
CMSA7405 P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	DFN-85X6	51000	惠州	CMSA7405,DFN-8 5X6,MOS,P场,-30V,-70A,0.0065Ω,50W CMSA7405,DFN-8 5X6,MOS,P场,-30V,-70A,0.0065Ω,50W	广东场效应半导体有限公司
CMN3401M P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	SOT-23-3L	51000	惠州	CMN3401M,SOT-23-3L,MOS,P场,-30V,-4A,0.06Ω,1.4W CMN3401M,SOT-23-3L,MOS,P场,-30V,-4A,0.06Ω,1.4W	广东场效应半导体有限公司
CMD80P02B P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-252	51000	惠州	CMD80P02B,TO-252,MOS,P场,-20V,-80A,,70W CMD80P02B,TO-252,MOS,P场,-20V,-80A,,70W	广东场效应半导体有限公司

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华强电子网 国产品牌

产品分类

P沟道MOS管（272）

封装

品牌

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