50P04-VB一款P沟道TO252封装MOSFET应用分析
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来源:国产品牌站
作者:szvbsemi
时间:2024-01-05 16:22
摘要:50P04.pdf
50P04.pdf
50P04 (VBE2412)参数说明:P沟道,-40V,-65A,导通电阻10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V),阈值电压-1.6V,封装:TO252。

应用简介:50P04适用于高功率开关和电流控制等领域。
其高电流承载能力和低导通电阻有助于提高效率和降低功率损耗。
适用领域与模块:适用于高功率开关、电流控制和模拟开关等领域模块,特别适合高功率要求的场景。