IRLR3110ZPBF-VB一款N沟道TO252封装MOSFET应用分析
标签： 来源：国产品牌站 作者：szvbsemi 时间：2024-01-05 17:55
摘要：IRLR3110ZPBF.pdf
IRLR3110ZPBF (VBE1101N)参数说明：N沟道，100V，70A，导通电阻9mΩ@10V，20mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压3.2V，封装：TO252。
应用简介：IRLR3110ZPBF适用于高功率N沟道MOSFET，常见于电源开关、电机控制和逆变器等领域模块。
其极低的导通电阻使其在低电压降场景中性能卓越。
优势与适用领域：适用于高功率应用，如电源开关、电机控制和逆变器等模块。
极低的导通电阻有助于降低功率损耗，提高效率。
