SI2305CDS-T1-GE3-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析
标签： 来源：国产品牌站 作者：szvbsemi 时间：2024-01-06 11:55
摘要：SI2305CDS-T1-GE3.pdf
SI2305CDS-T1-GE3 (VB2290)参数说明：P沟道，-20V，-4A，导通电阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，阈值电压-0.81V，封装：SOT23。
应用简介：SI2305CDS-T1-GE3适用于低功率开关和电流控制等领域。
其低导通电阻和小封装使其在紧凑场景中表现出色。
适用领域与模块：适用于低功率开关、电流控制和模拟开关等领域模块，特别适合紧凑型应用的场景。
