SI4559EY-T1-E3-VB一款N+P沟道SOP8封装MOSFET应用分析
标签： 来源：国产品牌站 作者：szvbsemi 时间：2024-01-06 15:51
摘要：SI4559EY-T1-E3.pdf
SI4559EY-T1-E3 (VBA5638)参数说明：N+P沟道，±60V，正向电流6.5A，反向电流5A，导通电阻28mΩ@10V，34mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，正负阈值电压分别为±1.9V，封装：SOP8。
应用简介：SI4559EY-T1-E3是一款双沟道MOSFET，适用于高电压和高电流应用，如电源开关、电机驱动、逆变器等领域模块。
