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AFN2376S23RG-VB一种Single-N沟道SOT23-3封装MOS管

### 产品简介

**AFN2376S23RG-VB** 是由 VBsemi 公司生产的一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 SOT23-3 封装。该 MOSFET 具有 60V 的漏源电压（VDS）和最大 5.5A 的漏极电流（ID），采用 Trench 技术，适用于需要高效能和低导通电阻的各种应用。

### 详细参数说明

- **封装类型**：SOT23-3

- **配置**：单 N 沟道

- **漏源电压 (VDS)**：60V

- **栅源电压 (VGS)**：±20V

- **阈值电压 (Vth)**：1.7V

- **导通电阻 (RDS(ON))**：

  - 33mΩ @ VGS = 4.5V

  - 30mΩ @ VGS = 10V

- **漏极电流 (ID)**：5.5A

- **技术**：Trench

AFN2376S23RG-VB.pdf

### 应用领域和模块

**AFN2376S23RG-VB** MOSFET 可以在以下领域和模块中得到应用：

1. **消费电子产品**：适用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑等设备中的电源管理和负载开关，提供高效的电力转换和电流控制功能。

2. **电源适配器和充电器**：在各种电源适配器和充电器中作为高效的功率开关，确保充电过程的高效能和稳定性。

3. **汽车电子**：用于汽车电子系统中的电源管理和电流控制，例如车灯控制、车身控制模块和娱乐系统。

4. **工业控制**：在工业自动化和控制系统中，用于电源管理和负载开关控制，支持工业设备的高效能运行和稳定性。

5. **LED 驱动器**：适用于 LED 驱动器和照明系统中的电源开关和电流控制，提供高效的能量转换和照明控制功能。

综上所述，AFN2376S23RG-VB 是一款适用于多种高效能和低导通电阻要求的单 N 沟道 MOSFET，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业控制和 LED 驱动等领域。