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AM3471P-VB一种Single-P沟道SOT23-6封装MOS管

### 产品简介详述：AM3471P-VB

**型号：** AM3471P-VB  

**封装：** SOT23-6  

**结构：** 单P沟道  

**漏极-源极电压（VDS）：** -100V  

**栅极-源极电压（VGS）：** ±20V  

**阈值电压（Vth）：** -2V  

**导通电阻（RDS(ON)）：** 252mΩ @ VGS=4.5V, 200mΩ @ VGS=10V  

**漏极电流（ID）：** -4.1A  

**技术：** Trench（沟槽型）  

AM3471P-VB.pdf

### 详细参数说明：

1. **电气特性：**

   - **静态参数：**

     - 漏极-源极电压（VDS）：-100V

     - 栅极-源极电压（VGS）：±20V

     - 阈值电压（Vth）：-2V

     - 漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）：

       - 252mΩ @ VGS=4.5V

       - 200mΩ @ VGS=10V

     - 最大漏极电流（ID）：-4.1A

2. **封装和配置：**

   - 封装形式：SOT23-6

   - 结构类型：单P沟道

3. **技术特性：**

   - 采用沟槽型MOSFET技术

### 应用示例：

AM3471P-VB适用于以下领域和模块的示例包括：

- **电源逆变器：** 在电源逆变器中作为开关元件，用于转换电源信号，特别是在需要负责大电压的应用场合。

- **电动车辆：** 可用于电动车辆的电池管理和电动机驱动，因为能够处理高电流和较低的导通电阻。

- **工业控制系统：** 在工业控制系统中用于电流和电压的控制和调节，确保设备的稳定运行。

- **通信设备：** 在通信设备中的功率管理和信号开关中，提供高效能和可靠性。

这些示例展示了AM3471P-VB在需要高电压、高功率和可靠性的各种应用中的潜在用途。