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AO9926C-VB一种Dual-N+N沟道SOP8封装MOS管

### 一、AO9926C-VB 产品简介

AO9926C-VB是一款双N+N沟道增强型MOSFET，采用Trench工艺技术制造，适用于高性能功率开关和电源管理应用。该器件封装为SOP8，具有20V的漏极-源极电压（VDS），能够提供低导通电阻和高电流承载能力，是低压电源管理和负载开关应用的理想选择。

### 二、AO9926C-VB 详细参数说明

- **封装形式**：SOP8

- **配置**：双N+N沟道

- **漏极-源极电压（VDS）**：20V

- **栅极-源极电压（VGS）**：±12V

- **阈值电压（Vth）**：0.5~1.5V

- **导通电阻（RDS(ON)）**：

  - 26mΩ @ VGS=4.5V

  - 19mΩ @ VGS=10V

- **连续漏极电流（ID）**：7.1A

- **技术**：Trench

AO9926C-VB.pdf

### 三、适用领域和模块示例

AO9926C-VB凭借其双N+N沟道设计和优异的电性能，在多个领域和模块中有广泛应用：

1. **电源管理系统**：

   AO9926C-VB可以用作各种电源管理系统中的开关元件，特别适用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式设备中的电源管理模块。其低导通电阻和高电流承载能力有助于提高电源转换效率，延长电池寿命。

2. **负载开关**：

   在电子电路中的负载开关应用中，AO9926C-VB能够提供可靠的开关控制和低功耗运行。例如，在智能家居设备和物联网设备中，AO9926C-VB可以实现高效的电流控制和管理。

3. **电动工具和电机驱动**：

   AO9926C-VB适用于电动工具和小型电机驱动的电源控制，其高电流承载能力和低导通电阻确保了电动工具和电机的稳定运行。在这些应用中，AO9926C-VB能够提高功率效率并减少热损耗。

总之，AO9926C-VB作为一款高性能双N+N沟道MOSFET，适用于需要高效能管理、精确电流控制和可靠性的多种电子模块和应用场合。