AOD407-VB一款P沟道TO252封装MOSFET应用分析
标签： 来源：国产品牌站 作者：szvbsemi 时间：2024-01-12 11:50
摘要：AOD407.pdf
AOD407 (VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。
应用简介：AOD407是一款高功率P沟道MOSFET，适用于大电流和高功率应用，如电源开关、电机驱动和逆变器等领域模块。
标签： 来源：国产品牌站 作者：szvbsemi 时间：2024-01-12 11:50
摘要：AOD407.pdf
AOD407 (VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。
应用简介：AOD407是一款高功率P沟道MOSFET，适用于大电流和高功率应用，如电源开关、电机驱动和逆变器等领域模块。
