BSH114-VB一款N沟道SOT23封装MOSFET应用分析
标签： 来源：国产品牌站 作者：szvbsemi 时间：2024-01-12 13:52
摘要：BSH114.pdf
BSH114 (VB1102M)参数说明：N沟道，100V，2A，导通电阻246mΩ@10V，260mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压2V，封装：SOT23。
应用简介：BSH114是一款N沟道MOSFET，适用于低电压降和高开关速度要求的应用，如电源开关、LED驱动和电机控制等领域模块。
标签： 来源：国产品牌站 作者：szvbsemi 时间：2024-01-12 13:52
摘要：BSH114.pdf
BSH114 (VB1102M)参数说明：N沟道，100V，2A，导通电阻246mΩ@10V，260mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压2V，封装：SOT23。
应用简介：BSH114是一款N沟道MOSFET，适用于低电压降和高开关速度要求的应用，如电源开关、LED驱动和电机控制等领域模块。
