IRFI540GPBF-VB一款N沟道TO220F封装MOSFET应用分析
标签： 来源：国产品牌站 作者：szvbsemi 时间：2024-01-12 16:10
摘要：IRFI540GPBF.pdf
IRFI540GPBF (VBMB1104N)参数说明：N沟道，100V，50A，导通电阻40mΩ@10V，48mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压2~4V，封装：TO220F。
应用简介：IRFI540GPBF是一款高功率N沟道MOSFET，适用于高电流和高功率需求的场景，如电机驱动、逆变器和电源开关等领域模块。
