IRLL110TRPBF-VB一款N沟道SOT223封装MOSFET应用分析
标签： 来源：国产品牌站 作者：szvbsemi 时间：2024-01-12 16:16
摘要：IRLL110TRPBF.pdf
IRLL110TRPBF (VBJ1101M)参数说明：N沟道，100V，5A，导通电阻100mΩ@10V，120mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压2~4V，封装：SOT223。
应用简介：IRLL110TRPBF适用于低功率应用，如信号开关和电流控制。
其低导通电阻和低阈值电压有助于降低功率损耗。
适用领域与模块：适用于低功率信号开关、电流控制和模拟开关等领域模块。
