NT2955G-VB一款P沟道TO252封装MOSFET应用分析
标签： 来源：国产品牌站 作者：szvbsemi 时间：2024-01-12 16:29
摘要：NT2955G.pdf
NT2955G (VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。
应用简介：NT2955G适用于功率开关和逆变器等高功率应用的P沟道MOSFET。
其能够处理较大的电流和电压，适用于高功率需求的场景。
优势与适用领域：具有较大的电流和电压承载能力，适用于高功率应用，如电源开关、逆变器和电机驱动等模块。
