B466L-VB一种Single-N沟道TO263封装MOS管
标签： 来源：国产品牌站 作者：szvbsemi 时间：2025-01-07 17:32
摘要：### 一、产品简介
### 一、产品简介
B466L-VB 是一款高电流单N沟道MOSFET，采用TO263封装，设计用于高电压和高电流应用。该MOSFET 使用Trench技术，具备低导通电阻和高电流处理能力，适合各种要求高效能和高可靠性的电力电子应用。
### 二、详细的参数说明
| 参数 | 数值 |
|-----------------|-----------------|
| **封装类型** | TO263 |
| **配置** | 单N沟道 |
| **漏极-源极电压 (VDS)** | 60V |
| **栅极-源极电压 (VGS)** | ±20V |
| **阈值电压 (Vth)** | 3V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 12mΩ @ VGS=4.5V |
| | 3.2mΩ @ VGS=10V |
| **连续漏极电流 (ID)** | 210A |
| **技术** | Trench |
### 三、应用领域和模块举例
1. **电源转换器**
B466L-VB 由于其高电压耐受和低导通电阻特性，广泛应用于高功率DC-DC转换器中。其能有效处理高电流，减少功率损耗，提升系统效率。
2. **高功率电机驱动**
在电机驱动应用中，B466L-VB 的高电流能力和低RDS(ON)使其成为电动汽车、工业电机和高功率家电的理想选择，能够提供稳定的电流控制和高效的性能。
3. **逆变器和UPS系统**
在太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统中，B466L-VB 由于其高电流承载能力和耐高压特性，确保了在紧急情况下的可靠电源供应和系统稳定性。
4. **电池管理系统**
在高功率电池管理系统中，B466L-VB 的低导通电阻和高电流处理能力有助于有效管理电池的充放电过程，提升系统的整体性能和安全性。
B466L-VB 以其高电压、高电流和低导通电阻特性，适用于各种需要高效能和高可靠性的电力电子应用领域。
