华强电子网 国产品牌

BUK6510-75C-VB一种Single-N沟道TO220封装MOS管

### 一、BUK6510-75C-VB 产品简介

BUK6510-75C-VB 是 NXP Semiconductors 生产的一款高性能单 N 沟道 MOSFET，封装形式为 TO-220。这款 MOSFET 基于先进的 Trench 技术设计，具有 80V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS) 规格。其在 4.5V 的栅源电压下，导通电阻为 9mΩ，在 10V 的栅源电压下进一步降低至 7mΩ。BUK6510-75C-VB 具备高达 100A 的连续漏极电流 (ID)，使其在高电流和低导通损耗的应用场景中表现优异，非常适合用于高效开关、功率转换及电源管理系统。

### 二、BUK6510-75C-VB 详细参数说明

| 参数                   | 值                       | 单位   |

|------------------------|--------------------------|--------|

| 产品型号               | BUK6510-75C-VB           |        |

| 封装                   | TO-220                   |        |

| 配置                   | 单 N 沟道                |        |

| 漏源电压 (VDS)         | 80                       | V      |

| 栅源电压 (VGS)         | ±20                      | V      |

| 阈值电压 (Vth)         | 3                        | V      |

| 导通电阻 (RDS(ON))     | 9 (VGS = 4.5V)           | mΩ     |

|                        | 7 (VGS = 10V)            | mΩ     |

| 栅极电流 (IG)          | 100                      | nA     |

| 连续漏极电流 (ID)      | 100                      | A      |

| 瞬时脉冲漏极电流 (ID(pulse)) | 200              | A      |

| 最大功耗 (Ptot)        | 125                      | W      |

| 工作温度范围           | -55 至 +175             | °C     |

| 存储温度范围           | -55 至 +175             | °C     |

| 技术                   | Trench                   |        |

BUK6510-75C-VB.pdf

### 三、应用领域和模块示例

BUK6510-75C-VB 的高电流处理能力和低导通电阻使其在多个领域具有显著优势，以下是几个具体的应用示例：

1. **高功率电源管理**：在开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中，BUK6510-75C-VB 能够作为高效的开关元件，降低导通电阻，提升电源转换效率，减少能量损耗。

2. **工业电动机控制**：由于其高电流承载能力，这款 MOSFET 适用于电动汽车、电动工具及工业电动机驱动系统中，可以实现高效的电机控制和精确的调速。

3. **功率转换应用**：在高功率逆变器和功率转换器中，BUK6510-75C-VB 可以处理大电流负载，确保系统的稳定性和可靠性，广泛应用于太阳能逆变器和不间断电源 (UPS) 中。

4. **电池管理系统**：在电池管理系统 (BMS) 中，该 MOSFET 可用于处理高电流负载，提供过流保护和电池开关功能，提高系统的安全性和性能。

这些应用示例展示了 BUK6510-75C-VB 在需要高电流处理、低导通损耗和高效开关的场景中的关键作用。