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BUK654R6-55C-VB一种Single-N沟道TO220封装MOS管

### 一、BUK654R6-55C-VB 产品简介

BUK654R6-55C-VB 是 NXP Semiconductors 生产的一款高性能单 N 沟道 MOSFET，采用 TO-220 封装。这款 MOSFET 基于先进的 Trench 技术设计，具有 60V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS) 规格。在 10V 的栅源电压下，其导通电阻非常低，为 5mΩ，并且支持高达 120A 的连续漏极电流 (ID)。BUK654R6-55C-VB 适用于高效开关和电源管理的各种应用场景，能够满足高电流和低导通损耗的需求。

### 二、BUK654R6-55C-VB 详细参数说明

| 参数                   | 值                       | 单位   |

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| 产品型号               | BUK654R6-55C-VB          |        |

| 封装                   | TO-220                   |        |

| 配置                   | 单 N 沟道                |        |

| 漏源电压 (VDS)         | 60                       | V      |

| 栅源电压 (VGS)         | ±20                      | V      |

| 阈值电压 (Vth)         | 3                        | V      |

| 导通电阻 (RDS(ON))     | 5 (VGS = 10V)            | mΩ     |

| 连续漏极电流 (ID)      | 120                      | A      |

| 瞬时脉冲漏极电流 (ID(pulse)) | 480              | A      |

| 最大功耗 (Ptot)        | 300                      | W      |

| 工作温度范围           | -55 至 +175             | °C     |

| 存储温度范围           | -55 至 +175             | °C     |

| 技术                   | Trench                   |        |

BUK654R6-55C-VB.pdf

### 三、应用领域和模块示例

BUK654R6-55C-VB MOSFET 由于其高电流处理能力和低导通电阻，在多个领域和应用中表现出色，以下是几个具体的应用示例：

1. **电源管理**：在高功率开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中，BUK654R6-55C-VB 可作为高效的开关元件，极低的导通电阻能够显著降低能量损耗，提高整体电源转换效率。

2. **电动机控制**：由于其高电流承载能力，这款 MOSFET 非常适合电动汽车、电动工具和工业电动机驱动系统中，能够实现高效的电机控制和精确的调速。

3. **功率转换**：在工业功率转换器和逆变器中，BUK654R6-55C-VB 可以处理大电流负载，确保系统的稳定性和可靠性，广泛应用于太阳能逆变器和不间断电源 (UPS) 中。

4. **电池管理系统**：在电池管理系统 (BMS) 中，该 MOSFET 能够处理高电流负载，提供过流保护和电池切换功能，提高系统的安全性和性能。

这些应用示例展示了 BUK654R6-55C-VB 在需要高电流处理、低导通损耗和高效开关的场景中的关键作用。