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BUK663R5-55C-VB一种Single-N沟道TO263封装MOS管

### BUK663R5-55C-VB 产品简介

BUK663R5-55C-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，采用TO263封装，设计用于高电流和低电阻应用。这款MOSFET具有60V的漏源电压（VDS）和±20V的栅源电压（VGS）。它采用先进的沟槽（Trench）技术，提供极低的导通电阻。在VGS为4.5V时的导通电阻为12mΩ，在VGS为10V时的导通电阻为3.2mΩ，最大漏极电流（ID）为210A。BUK663R5-55C-VB在需要高电流处理和低功耗的应用中表现优异，适合各种高效电源管理和电机驱动应用。

### BUK663R5-55C-VB 详细参数说明

| 参数             | 值                | 单位 |

|------------------|-------------------|------|

| 封装类型         | TO263             |      |

| 配置             | 单N沟道           |      |

| 漏源电压 (VDS)   | 60                | V    |

| 栅源电压 (VGS)   | ±20               | V    |

| 阈值电压 (Vth)   | 3.0               | V    |

| 导通电阻 (RDS(ON)) | 12 (VGS=4.5V)    | mΩ   |

| 导通电阻 (RDS(ON)) | 3.2 (VGS=10V)    | mΩ   |

| 最大漏极电流 (ID) | 210               | A    |

| 技术             | 沟槽（Trench）    |      |

BUK663R5-55C-VB.pdf

### BUK663R5-55C-VB 适用领域和模块

1. **高效电源开关（High-Efficiency Power Switching）**：

   BUK663R5-55C-VB在高效电源开关应用中表现出色，特别适用于需要高电流处理和低导通电阻的场合。其210A的漏极电流能力和低导通电阻有助于提高电源系统的效率，降低功率损耗。

2. **电机驱动（Motor Drives）**：

   在电机驱动应用中，该MOSFET可以处理高电流负载，适用于直流电机和无刷电机（BLDC）的驱动。其高电流能力和低导通电阻确保了电机的平稳运行和高效控制。

3. **DC-DC转换器（DC-DC Converters）**：

   BUK663R5-55C-VB在DC-DC转换器中适用于高电流和高效转换的应用。其极低的导通电阻有助于提高转换器的效率，减少功率损耗，并增强系统的整体性能。

4. **电池管理系统（Battery Management Systems）**：

   在电池管理系统中，该MOSFET能够有效控制高电流负载，适用于保护电路和负载开关。其高电流处理能力和低导通电阻有助于提高电池的使用寿命和系统的稳定性。

5. **电源供应模块（Power Supply Modules）**：

   BUK663R5-55C-VB适用于电源供应模块，尤其是在需要高电流开关的应用中。其高电流能力和低导通电阻使其能够有效管理高功率需求，提供稳定可靠的性能。

BUK663R5-55C-VB以其高电流处理能力和极低的导通电阻，适用于需要高效和稳定性能的各种电子应用，为电源管理、电机驱动和高效开关应用提供了可靠的解决方案。