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BUK6E2R0-30C-VB一种Single-N沟道TO262封装MOS管

### 产品简介

**BUK6E2R0-30C-VB** 是一款采用 Trench 技术的单极 N 通道 MOSFET，封装形式为 TO262。这款 MOSFET 具有极低的导通电阻和高电流承载能力，非常适合用于高功率和高效率的开关应用。其高性能特性使其在电源管理、电动汽车及其他高电流应用中表现出色。

### 详细参数说明

- **封装**：TO262

- **配置**：单极 N 通道

- **最大漏极-源极电压 (VDS)**：30V

- **最大栅极-源极电压 (VGS)**：±20V

- **栅极阈值电压 (Vth)**：1.7V

- **导通电阻 (RDS(on))**：

  - 3.24mΩ @ VGS = 4.5V

  - 2mΩ @ VGS = 10V

- **最大连续漏极电流 (ID)**：150A

- **技术**：Trench 技术

BUK6E2R0-30C-VB.pdf

### 适用领域与模块举例

**BUK6E2R0-30C-VB** 的高性能特点使其适用于多个高功率和高效能应用领域，包括：

1. **电源管理**：由于其极低的导通电阻和高电流能力，该 MOSFET 非常适合用于高效电源管理系统，例如 DC-DC 转换器和电源模块。在这些应用中，它能够有效地管理和转换电流，提高系统的整体效率并减少能量损耗。

2. **电动汽车**：在电动汽车的电力电子系统中，如电池管理系统（BMS）和电动机驱动系统，该 MOSFET 可以用于高电流开关，确保系统的稳定性和高效性。这对于提升电动汽车的性能和续航能力至关重要。

3. **逆变器系统**：在高功率逆变器系统中，如太阳能光伏逆变器和工业逆变器，该 MOSFET 能够处理高功率开关操作，提供高效的电力转换，保证系统稳定运行。

4. **高功率开关**：适用于高功率开关应用，如高功率电源供应器和负载开关。这款 MOSFET 能够有效控制大电流流动，提供稳定的开关性能，提升系统的可靠性。

总结而言，BUK6E2R0-30C-VB 是一款高性能、高电流承载能力和低导通电阻的 MOSFET，适用于各种高功率电源管理和开关应用。