南科功率新品 NKMS20104100V N+N DFN2X2 MOSFET赋能氮化镓充电器与无人机
标签： 来源：国产品牌站 作者：sznanke168 时间：2025-06-20 19:43
摘要：南科功率重磅推出新一代先进沟槽 N 沟道 MOSFET——NKMS20104，采用DFN2020-8D（DFN2X2）封装，专为氮化镓（GaN）充电器和无人机等高性能场景设计，以超低导通电阻、高速开关性能及卓越可靠性，为新一代电源管理方案提供核心动力。
南科功率重磅推出新一代先进沟槽 N 沟道 MOSFET——NKMS20104，采用DFN2020-8D（DFN2X2）封装，专为氮化镓（GaN）充电器和无人机等高性能场景设计，以超低导通电阻、高速开关性能及卓越可靠性，为新一代电源管理方案提供核心动力。
一、产品核心亮点：重新定义高效功率管理
（一）极致低阻，高效节能
超低导通电阻（RDS (ON)）：
当栅源电压 VGS=10V 时，RDS (ON) 低至95mΩ（典型值），确保大电流场景下的低功耗运行；
即使在 VGS=4.5V 的低驱动电压下，RDS (ON) 仍仅为120mΩ（典型值），兼容宽电压驱动需求。
高性价比 FOM 值：栅极电荷（Qg）与 RDS (ON) 的乘积（FOM）优化，进一步提升能量转换效率，降低发热，适用于高频率开关场景。
（二）高速开关，响应灵敏
纳秒级开关速度：
开启延迟时间 tD (ON)=1.3ns（典型值），上升时间 tr=6.2ns（典型值）；
关闭延迟时间 tD (OFF)=9.5ns（典型值），下降时间 tf=2.6ns（典型值），满足氮化镓充电器高频工作需求（如 100kHz 以上开关频率），显著减小电感、电容等被动元件体积，助力设备小型化。
（三）高可靠性与环保设计
宽电压与温度范围：
漏源电压 VDS 耐压达100V，适配氮化镓充电器的高压母线设计；
工作结温范围 - 55℃~150℃，满足无人机在极端环境下的稳定运行（如高温飞行或低温存储）。
绿色环保认证：无铅、无卤素，符合 RoHS 标准，助力客户通过环保合规认证。
二、靶向应用场景：氮化镓充电器与无人机的核心赋能
（一）氮化镓充电器：小体积，大功率
核心价值：
高频高效：配合氮化镓器件实现 200kHz 以上开关频率，缩小变压器体积，提升功率密度（如实现 100W 级充电器体积较传统方案缩小 50%）；
低发热设计：超低 RDS (ON) 降低导通损耗，搭配 DFN2X2 封装的优秀散热性能（热阻 RθJA=70℃/W，RθJC=30℃/W），避免充电器过热降频，保障持续满功率输出。
典型方案：
用于 LLC 谐振拓扑或图腾柱 PFC 电路，支持 100V 输入下的高效功率转换，适配全球宽电压（100-240V AC）输入场景。
（二）无人机：轻量化与长续航的双重突破
动力系统优化：
电机驱动：作为无人机 ESC（电子调速器）的功率开关，支持 3.2A 连续漏极电流（25℃），峰值电流达 12.8A，满足多旋翼无人机高动态电流需求（如瞬间加速时的大电流冲击）；
能效提升：低 RDS (ON) 减少电池能量损耗，延长飞行时间（同等电池容量下可提升 5%-10% 续航），同时降低电机驱动模块温度，保障飞行稳定性。
控制系统集成：
支持负载开关与电源管理功能，如电池组的通断控制、冗余电源切换等，配合 DFN2X2 封装的紧凑尺寸（2mm×2mm），节省无人机主板空间，助力轻量化设计。
三、封装与选型：DFN2X2 的极致优势
（一）DFN2020-8D 封装特性
超小型化：尺寸仅2mm×2mm×0.8mm，适用于对空间敏感的场景（如 65W 氮化镓充电器或消费级无人机）；
散热增强：大面积底部焊盘直接连接芯片热源，配合 PCB 敷铜设计，可快速导出热量，提升长期工作可靠性；
引脚定义灵活：双 N 沟道 MOSFET 集成，支持并联应用以降低等效电阻，或独立控制实现半桥拓扑，简化电路设计。
（二）选型参考
| 型号 | 封装 | 耐压 (V) | 连续电流 (A) | 典型 RDS (ON)(mΩ) | 应用场景 |
|---|---|---|---|---|---|
| NKMS20104 | DFN2020-8D | 100 | 3.2（25℃） | 95（VGS=10V） | 氮化镓充电器、无人机 |
四、南科功率：技术领先，服务全球
作为功率半导体领域的创新者，南科功率始终以技术驱动市场，NKMS20104 的推出标志着公司在高频高效功率器件领域的又一突破。我们提供：
全流程技术支持：从电路设计仿真到样品测试，专业团队助力客户快速落地方案；
量产保障能力：严格的 AEC-Q101 车规级工艺管控（可选），满足无人机工业级可靠性需求；
定制化服务：可根据客户需求调整封装形式或电气参数，适配特殊应用场景。
立即联系南科功率，解锁 100V N+N MOSFET 在氮化镓与无人机领域的无限可能！
官网：www.nkglbdt.com | 技术咨询：sales@nkglbdt.com
NKMS20104.pdf
该产品是否有替代型号？
目前提供的资料中未提及 NKMS20104 这款产品的替代型号。但可从功能、参数等方面寻找潜在替代产品：
功能与应用匹配：NKMS20104 用于 DC/DC 转换器、负载开关和电源管理，若其他产品也适用于这些场景，可作为备选。比如某些同样面向功率管理应用的双 N 沟道增强型 MOSFET。
关键参数相近： 像漏源击穿电压（VDS）、漏极电流（ID）、导通电阻（RDS (ON)）、开关特性（如开关延迟时间、上升 / 下降时间）等参数，若有产品的这些参数与 NKMS20104 接近或更优，也可能成为替代选择。例如，一款 VDS 为 100V 或更高、ID 满足需求且 RDS (ON) 较低的 MOSFET。
封装兼容：NKMS20104 采用 DFN2020 - 8D 封装，若其他产品也采用该封装或能兼容其安装空间，可减少设计改动，利于替代。
1 篇资料
提供一份NKMS20104产品的详细参数文档
NKMS20104 100V Dual N Channel Enhancement MOSFET 详细参数文档
一、产品概述
NKMS20104 是新一代先进沟槽 N 沟道 MOSFET，旨在最小化导通电阻（RDS (ON)）的同时保持卓越的开关性能，非常适合高效功率管理应用。该产品具有高速开关、出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）特性，且符合无铅、无卤素、RoHS 标准 。
二、主要参数
（一）电气参数
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BV<sub>DSS</sub> | V<sub>GS</sub>=0V，I<sub>D</sub>=250μA | 100 | - | - | V |
| 零栅压漏极电流 | I<sub>DSS</sub> | V<sub>DS</sub>=100V，V<sub>GS</sub>=0V | - | - | 1 | μA |
| 栅 - 体泄漏电流 | I<sub>GSS</sub> | V<sub>GS</sub>=±20V，V<sub>DS</sub>=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | V<sub>GS(th)</sub> | V<sub>DS</sub>=V<sub>GS</sub>，I<sub>D</sub>=250μA | 1 | 1.8 | 2.5 | V |
| 漏源导通电阻（V<sub>GS</sub>=10V） | R<sub>DS(ON)</sub> | V<sub>GS</sub>=10V，I<sub>D</sub>=2A | - | 95 | 110 | mΩ |
| 漏源导通电阻（V<sub>GS</sub>=4.5V） | R<sub>DS(ON)</sub> | V<sub>GS</sub>=4.5V，I<sub>D</sub>=15A | - | 120 | 140 | mΩ |
| 正向跨导 | g<sub>FS</sub> | V<sub>GS</sub>=10V，I<sub>D</sub>=2A | - | 5 | - | S |
| 输入电容 | C<sub>ISS</sub> | V<sub>DS</sub>=15V，V<sub>GS</sub>=0V，f=1.0MHz | - | 185 | - | pF |
| 输出电容 | C<sub>OSS</sub> | - | - | 30 | - | pF |
| 反向传输电容 | C<sub>RSS</sub> | - | - | 20 | - | pF |
| 总栅极电荷 | Qg | V<sub>DS</sub>=50V，I<sub>D</sub>=2A，V<sub>GS</sub>=10V | - | 8 | - | nC |
| 栅源电荷 | Q<sub>gs</sub> | V<sub>DS</sub>=50V，I<sub>D</sub>=2A，V<sub>GS</sub>=10V | - | 2.2 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Q<sub>gd</sub> | - | - | 1.3 | - | nC |
| 开通延迟时间 | t<sub>D(ON)</sub> | V<sub>DD</sub>=30V，I<sub>D</sub>=1A，V<sub>GS</sub>=10V，R<sub>GEN</sub>=3Ω | - | 1.3 | - | ns |
| 上升时间 | t<sub>r</sub> | - | - | 6.2 | - | ns |
| 关断延迟时间 | t<sub>D(OFF)</sub> | - | - | 9.5 | - | ns |
| 下降时间 | t<sub>f</sub> | - | - | 2.6 | - | ns |
| 漏源二极管正向电压 | V<sub>SD</sub> | V<sub>GS</sub>=0V，I<sub>S</sub>=2A | - | - | 1.2 | V |
（二）极限参数
| 参数 | 符号 | 限制值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | V<sub>DS</sub> | 100 | V |
| 栅源电压 | V<sub>GS</sub> | ±20 | V |
| 连续漏极电流（T<sub>C</sub>=25°C） | I<sub>D</sub> | 3.2 | A |
| 连续漏极电流（T<sub>C</sub>=70°C） | I<sub>D</sub> | 2.4 | A |
| 脉冲漏极电流 | I<sub>DM</sub> | 12.8 | A |
| 最大功耗（T<sub>C</sub>=25°C） | P<sub>D</sub> | 1.8 | W |
| 最大功耗（T<sub>C</sub>=70°C） | P<sub>D</sub> | 1.2 | W |
| 工作结温和存储温度范围 | T<sub>J</sub>，T<sub>STG</sub> | -55 至 150 | °C |
| 结 - 环境热阻 | R<sub>θJA</sub> | 70 | °C/W |
| 结 - 壳热阻 | R<sub>θJC</sub> | 30 | °C/W |
（三）封装参数
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 封装形式 | - | - | DFN2020 - 8D | - | - |
| 引脚数 | N | - | 6 | - | - |
| 封装长度 | D | 1.95 | 2.00 | 2.05 | mm |
| 封装宽度 | E | 1.95 | 2.00 | 2.05 | mm |
| 引脚宽度 | b | 0.20 | 0.25 | 0.30 | mm |
| 引脚间距 | e | - | 0.65（BSC） | - | mm |
| 封装高度 | A | 0.70 | 0.75 | 0.80 | mm |
| 内部引脚高度 | A1 | 0.00 | 0.02 | 0.05 | mm |
| 外部引脚高度 | A2 | 0.203 | - | - | mm |
| 引脚长度 | L | 0.27 | 0.32 | 0.37 | mm |
| 引脚中心到中心间距（横向） | J | - | 0.40（BSC） | - | mm |
| 最小引脚长度（K 方向） | K | 0.20 | - | - | mm |
| 激光标记（PIN1 标识） | - | - | 有 | - | - |
三、注意事项
脉冲测试：脉冲宽度 < 300μs，占空比 < 2%。
漏极电流受最大结温限制。
测试起始条件：T<sub>j</sub>=25°C，L=0.1mH，V<sub>DD</sub>=25V 。
部分动态和开关特性参数由设计保证，不进行生产测试。
