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南科功率 NKMP155L3G：VBJ2658 的优质替代之选

在功率半导体应用中，器件的兼容性与替代性是工程师选型时的重要考量。南科全新推出的 NKMP155L3G P 沟道增强型 MOSFET，在关键性能参数与应用场景上与微碧 VBJ2658 高度匹配，是一款极具竞争力的替代方案。

核心参数匹配，性能不相上下

两款器件同属 P 沟道增强型 MOSFET，在核心电气参数上表现出高度的一致性：

• 电压等级：NKMP155L3G 的漏源电压（VDS）为 - 60V，与 VBJ2658 的电压规格相当，能适应相同的电压工作环境，确保在电路中实现稳定的电压控制。

• 电流承载能力：NKMP155L3G 在 25°C 时连续漏极电流（ID）为 8A，70°C 时为 6.3A，脉冲漏极电流（IDM）可达 40A，足以应对各类负载的电流需求，与 VBJ2658 的电流承载能力处于同一水平，可满足相同功率等级的应用。

• 导通电阻：NKMP155L3G 在栅源电压为 - 10V、漏极电流为 - 4A 时，导通电阻（RDS (ON)）典型值仅为 57mΩ，最大 70mΩ；在栅源电压为 - 4.5V、漏极电流为 - 3A 时，典型值 75mΩ，最大 87mΩ。低导通电阻特性意味着更低的能量损耗，与 VBJ2658 相比，在能效表现上毫不逊色，能有效提升系统的整体效率。

封装与环保特性一致，替换无忧

NKMP155L3G 采用 SOT-223 封装，与 VBJ2658 的封装形式相同。这意味着在 PCB 板设计上，无需进行繁琐的线路修改，可直接替换焊接，大大降低了替换成本与时间成本。

同时，两款器件均符合无铅、无卤素标准，且通过 RoHS 认证，在环保要求日益严格的今天，能满足各类电子设备的环保合规需求，为绿色生产与可持续发展助力。

应用场景高度重合，适用范围广泛

凭借出色的性能，NKMP155L3G 与 VBJ2658 一样，适用于多种场景：

• 在负载开关应用中，低导通电阻使两者都能有效减少导通损耗，提高电源利用效率。

• 于电机驱动系统，高速开关性能与稳定的电流控制能力，可精准控制电机运行，保证设备的可靠工作。

• 在电动工具和LED 照明等领域，也能完美适配，发挥优异的功率管理作用。

综上所述，南科 NKMP155L3G 在参数性能、封装形式、环保特性及应用场景等方面均与微碧 VBJ2658 高度匹配，是一款可靠的替代选择。选择 NKMP155L3G，不仅能保证电路的稳定运行，还能借助南科在半导体领域的技术实力与品质保障，为您的产品带来更优的性能表现。

NKMP155L3G.pdf