华强电子网 国产品牌

TO-252贴片 场效应管-南科功率功率器件

在功率半导体领域，封装与性能的精准匹配是保障电路稳定运行的关键，南科功率推出的 TO-252 封装 MOSFET 系列，凭借 20V-250V 宽电压覆盖及 N、P 沟道全面布局，成为众多电子设备研发与生产的优选方案。

TO-252 封装作为行业常用的贴片封装形式，具备散热性能优异、安装便捷的特点，而南科功率在此封装基础上，进一步优化产品性能，打造出电压跨度从 20V 到 250V 的完整产品线。20V-100V 低压区间的 TO-252 MOSFET，适配消费电子、智能家居等低压场景需求，例如在 24V 直流电机驱动电路中，N 沟道 MOSFET 可快速响应控制信号，实现电机转速精准调节，P 沟道则可在电源切换电路中发挥反向截止作用，保障电路安全；100V-250V 中高压区间产品，更能满足工业控制、电源设备等中高压应用，像在 110V/220V 交流转直流的开关电源中，南科 TO-252 中高压 MOSFET 凭借出色的耐压性能，稳定实现电压转换与能量传输，降低电路损耗。

同时，该系列全面覆盖 N 沟道与 P 沟道两种类型，为电路设计提供更多灵活性。N 沟道 MOSFET 在大电流导通场景中表现突出，如在锂电池保护板的放电回路中，可承载较大工作电流，且低导通电阻特性能有效减少功率损耗，延长电池使用时间；P 沟道 MOSFET 则在低压侧开关、电源路径管理等场景中优势显著，例如在 5V/12V 电源分配电路中，可实现电源的高效通断控制，避免反向电流冲击，提升电路可靠性。

从消费电子领域的智能家居控制器、笔记本电脑电源适配器，到工业领域的传感器供电模块、小型变频器，再到汽车电子中的车载低压电器控制电路，南科 TO-252 封装 20V-250V N/P 沟道 MOSFET，以宽电压适配、双沟道覆盖及可靠封装性能，打破场景限制，为不同领域电子设备提供稳定、高效的功率解决方案，进一步丰富南科功率 MOSFET 产品矩阵，彰显其在细分领域的技术实力与产品布局优势。