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NTGD3148NT1G-VB一款2个N沟道SOT23-6封装MOSFET应用分析

NTGD3148NT1G.pdf

型号：NTGD3148NT1G-VB

丝印：VB3222

品牌：VBsemi

参数：

- 封装：SOT23-6

- 沟道类型：N—Channel

- 额定电压：20V

- 最大电流：4.8A

- 开态电阻：RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V

- 阈值电压：Vth=1.2~2.2V

应用简介：

NTGD3148NT1G-VB是一款双N—Channel沟道的场效应管，封装为SOT23-6。其主要应用领域包括但不限于：

1. **电源开关模块：** 适用于电源开关电路，提供可靠的电源开关功能，广泛应用于电源管理系统和各种便携设备。

2. **电源逆变器：** 在太阳能逆变器等领域，可用于实现直流到交流的转换，为可再生能源系统提供电能输出。

3. **电流控制模块：** 适用于需要对电流进行调控的电路，如电流源、电流控制器等。

4. **电池保护模块：** 在锂电池保护电路中，用于实现对电池的过放和过充保护。

5. **电机驱动：** 在小型电机的驱动电路中，如电动工具、小型电动车等。

NTGD3148NT1G-VB的特性使其在以上应用中表现卓越，是一款多功能、可靠的场效应管。