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HAT1047RJ-VB一种P—Channel沟道SOP8封装MOS管

**型号：** HAT1047R-VB  

**丝印：** VBA2311  

**品牌：** VBsemi  

**参数：** P—Channel沟道, -30V；-11A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V, VGS=20V；Vth=-1.42V；  

**封装：** SOP8  

**详细参数说明：**  

VBsemi品牌的HAT1047R-VB是一款高性能P—Channel沟道场效应晶体管。其工作电压为-30V，最大电流可达-11A。在VGS=10V时，导通电阻（RDS(ON)）为10mΩ，为电路设计提供了卓越的导通特性。此外，器件的阈值电压（Vth）为-1.42V，支持灵活的电压控制。

HAT1047RJ-VB.pdf

**应用简介：**  

HAT1047R-VB广泛适用于功率电子和电源管理领域，为电路设计提供高效、可靠的解决方案。以下是该产品在不同领域的主要应用场景：

1. **电源开关模块：** 可用于设计高性能的电源开关模块，实现可靠的功率转换和电流控制，适用于各种电源系统。

2. **电机驱动器：** 适用于电机控制和驱动应用，设计高效、可靠的电机驱动器，提供精准的电流控制。

3. **DC-DC转换器：** 由于其低导通电阻和高电流承受能力，适用于设计DC-DC转换器，实现电能的高效转换。

4. **电源管理系统：** 作为P—Channel沟道晶体管，可用于电源管理系统中，实现电源的开关控制和功耗优化。

**举例说明：**  

以新能源汽车中的电机驱动器为例，HAT1047R-VB可用于设计高效、紧凑的电机驱动电路，确保电机的稳定运行，提高新能源汽车的性能和续航里程。