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MTP4423Q8-VB一种P—Channel沟道SOP8封装MOS管

**型号：** MTP4423Q8-VB

**丝印：** VBA2311

**品牌：** VBsemi

**参数：**

- **沟道类型：** P—Channel

- **最大电压：** -30V

- **最大电流：** -11A

- **导通电阻：** RDS(ON) = 10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V

- **阈值电压：** Vth = -1.42V

**封装：** SOP8

MTP4423Q8-VB.pdf

**详细参数说明：**

MTP4423Q8-VB是一款P—Channel沟道功率MOSFET，拥有卓越的性能参数。最大电压可达-30V，最大电流达到-11A。在VGS=10V和VGS=20V时，导通电阻（RDS(ON)）均为10mΩ，表现出卓越的导通特性。阈值电压Vth为-1.42V，具有在低电压条件下敏感触发的特性。

**应用简介：**

MTP4423Q8-VB适用于多个领域，主要包括但不限于：

1. **电源模块：** 具有低导通电阻和高电流能力，适用于设计高性能电源模块。

2. **电动汽车控制器：** 在电动汽车电子系统中，可以应用于电机控制器模块，提供可靠的功率开关。

3. **工业电子：** 作为工业电子设备的电源开关器件，可提供高效的电能转换。

**举例说明：**

MTP4423Q8-VB可广泛应用于电源逆变器模块，用于将直流电源转换为交流电源。其低导通电阻和高电压承受能力使其成为逆变器模块中的理想选择，提高能源转换效率。