华强电子网 国产品牌

NIMD6001NR2G-VB一种2个N—Channel沟道SOP8封装MOS管

产品型号：NIMD6001NR2G-VB

丝印：VBA3638

品牌：VBsemi

参数：

- 沟道类型：2个N沟道

- 额定电压：60V

- 额定电流：6A

- 导通电阻：27mΩ @ VGS=10V；27mΩ @ VGS=20V

- 阈值电压：1.5V

封装：SOP8

NIMD6001NR2G-VB.pdf

详细参数说明：

NIMD6001NR2G-VB是一款具有2个N沟道的场效应管，适用于工作电压为60V的电路设计。其额定电流为6A，导通电阻在10V和20V的门源电压下均为27mΩ。阈值电压为1.5V。该产品采用SOP8封装。

应用简介：

NIMD6001NR2G-VB适用于各种功率电子应用，特别适用于需要高性能和可靠性的场合。常见的应用包括：

1. 电源管理模块：用于DC-DC转换器、AC-DC转换器和开关电源中的功率开关控制。

2. 电动工具和家用电器：用于电动工具、电热器、电动车辆等设备中的功率开关控制。

3. 电动车辆充电桩：用于电动车辆充电桩中的电源开关控制，实现安全高效的充电。

4. 工业自动化：用于工业机器人、自动化设备和机械控制系统中的功率开关控制。

这些领域中，NIMD6001NR2G-VB可作为关键的功率开关元件，提供高效的电路控制和保护，适用于各种复杂的工作环境和应用场景。