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NTMSD2P102LR2G-VB一种2个P—Channel沟道SOP8封装MOS管

品牌：VBsemi

型号：NTMSD2P102LR2G-VB

封装：SOP8

丝印：VBA4338

详细参数说明：

- 通道类型：2个P沟道MOSFET

- 额定工作电压：-30V

- 最大连续漏极电流：-7A

- 漏极-源极导通电阻：35mΩ @ VGS=10V, VGS=20V

- 阈值电压：-1.5V

NTMSD2P102LR2G-VB.pdf

应用简介：

NTMSD2P102LR2G-VB是一款高性能的双P沟道MOSFET，适用于各种功率电路的开关控制和功率调节。具有低漏极-源极导通电阻、高额定工作电压和大连续漏极电流的特点，适用于要求高效能和高可靠性的电源管理和功率放大应用。

举例说明：

1. 电源管理模块：适用于各种开关电源、DC-DC变换器和逆变器等电源管理模块中，用于控制和调节电流，提高电源效率。

2. 通信设备：可用于手机充电控制、无线路由器和网络交换机等通信设备中，提高设备的稳定性和可靠性。

3. 汽车电子模块：适用于汽车电子模块中的驱动控制、车载充电桩和电池管理系统等应用，提高系统的稳定性和安全性。