P4404QV-VB一种N+P—Channel沟道SOP8封装MOS管
标签： 来源：国产品牌站 作者：szvbsemi 时间：2024-04-26 11:59
摘要：VBsemi品牌的P4404QV-VB是一款SOP8封装的N+P沟道场效应晶体管。该器件具有双沟道结构，工作电压范围为±60V，最大漏极电流为6.5A（N沟道）和-5A（P沟道），在10V和20V时的导通电阻(RDS(ON))分别为28mΩ和51mΩ。阈值电压(Vth)为±1.9V。
VBsemi品牌的P4404QV-VB是一款SOP8封装的N+P沟道场效应晶体管。该器件具有双沟道结构，工作电压范围为±60V，最大漏极电流为6.5A（N沟道）和-5A（P沟道），在10V和20V时的导通电阻(RDS(ON))分别为28mΩ和51mΩ。阈值电压(Vth)为±1.9V。
这款器件适用于多种领域和模块，包括但不限于以下几个方面：
1. 电源开关模块：P4404QV-VB可用于电源开关模块中的正负电压开关，例如用于工业电源供应器、通信设备等领域的直流-直流变换器模块。
2. 电流控制模块：由于具有双沟道结构，可用于电流控制模块中的电源开关和电流限制器，例如用于电动汽车电池管理系统中的充放电控制模块。
3. 电压调节器模块：适用于电压调节器模块中的过载保护和电源开关，例如用于工业自动化设备中的稳压电源模块。
4. 高压应用领域：由于器件的工作电压范围较广，可用于高压应用领域的电源开关和电流控制模块，例如用于医疗设备、工业控制系统等领域的高压电源模块。
综上所述，P4404QV-VB是一款功能强大、适用范围广泛的N+P沟道场效应晶体管，可用于电源开关、电流控制、电压调节器等多个领域的模块设计中，能够提供稳定可靠的性能表现。
