SH8M24TB-VB一种N+P—Channel沟道SOP8封装MOS管
标签： 来源：国产品牌站 作者：szvbsemi 时间：2024-05-06 11:50
摘要：产品型号：SH8M24TB-VB
产品型号：SH8M24TB-VB
丝印：VBA5638
品牌：VBsemi
参数：N+P-Channel沟道，工作电压范围：±60V，最大电流：6.5A（N-Channel）/-5A（P-Channel），导通电阻：28mΩ（N-Channel）/51mΩ（P-Channel）（在VGS=10V和VGS=20V时），阈值电压：±1.9V
封装：SOP8
详细参数说明：
- 通道类型：N+P-Channel
- 工作电压范围：±60V
- 最大电流：6.5A（N-Channel）/-5A（P-Channel）
- 导通电阻：28mΩ（N-Channel）/51mΩ（P-Channel）（在VGS=10V和VGS=20V时）
- 阈值电压：±1.9V
- 封装类型：SOP8
应用简介：
SH8M24TB-VB是一款具有N+P-Channel沟道的功率MOSFET，适用于多种领域和模块。
举例说明：
1. 电动汽车电池管理系统：由于其双通道设计和较高的工作电压范围，SH8M24TB-VB非常适合用于电动汽车电池管理系统中的电池保护和电池均衡控制，确保电池组的安全稳定运行。
2. 工业电机控制模块：在工业自动化领域，SH8M24TB-VB可用于工业电机控制模块中的电机驱动和功率控制，例如用于控制各种工业机械设备中的三相异步电机，实现精确的速度和扭矩控制。
3. 太阳能逆变器：在可再生能源领域，SH8M24TB-VB可用于太阳能逆变器中的功率开关部分，实现对太阳能电池板产生的直流电进行有效的变换和控制，以供给家庭和工业用电网使用。
通过在不同领域和模块中的应用，SH8M24TB-VB能够发挥其稳定可靠的功率控制和调节功能，为各种应用场景提供高效、可靠的解决方案。
