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STM4470-VB一种N—Channel沟道SOP8封装MOS管

型号: STM4470-VB

丝印: VBA1410

品牌: VBsemi

参数:

- N—Channel沟道

- 额定电压: 40V

- 额定电流: 10A

- RDS(ON): 14mΩ @ VGS=10V, VGS=20V

- 阈值电压 (Vth): 1.6V

封装: SOP8

STM4470-VB.pdf

详细参数说明：

STM4470-VB是一款N—Channel沟道功率MOSFET，适用于最大40V的工作电压。具有10A的额定电流和低导通电阻(RDS(ON))，在VGS=10V和VGS=20V时分别为14mΩ。阈值电压(Vth)为1.6V，采用SOP8封装。

应用简介：

该产品在高效能和低导通电阻要求的电源和功率控制领域具有广泛应用。以下是该MOSFET的一些典型应用领域：

- 电源模块: STM4470-VB可用于电源模块，实现高效的电源转换和调节，确保系统的稳定性和可靠性。

- 电机驱动器: 由于其高额定电流和低导通电阻，适用于电机驱动器，实现对电机的精确控制和高效驱动。

- 电池管理系统: 在电池管理系统中，可用于实现对电池充放电的精确控制，提高电池系统的性能。

举例说明：

STM4470-VB可广泛应用于工业自动化、汽车电子和通信设备等领域的电源模块和功率控制模块，为这些系统提供高效能和可靠性的解决方案。