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UPA2737GR-E1-AT-VB一种P—Channel沟道SOP8封装MOS管

**产品型号：** UPA2737GR-E1-AT-VB  

**丝印：** VBA2311  

**品牌：** VBsemi  

**参数：**  

- P—Channel沟道

- -30V；-11A

- RDS(ON)=10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V

- Vth=-1.42V  

**封装：** SOP8  

**详细参数说明：**  

VBsemi品牌推出的UPA2737GR-E1-AT-VB是一款P—Channel沟道场效应晶体管，工作电压为-30V，最大电流可达-11A。具有低导通电阻（RDS(ON)）为10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，有效提升功率开关效率。阈值电压（Vth）为-1.42V，适用于各种电源控制和功率管理应用。

UPA2737GR-E1-AT-VB.pdf

**应用简介：**  

此产品广泛适用于不同领域的电源开关和功率管理模块，具体包括但不限于：

1. **电动汽车电池管理：** UPA2737GR-E1-AT-VB可用于电动汽车电池管理系统，提供可靠的功率开关控制，确保电池的高效充放电。

2. **工业自动化设备：** 在工业自动化领域，该器件能够实现电源的高效开关，提高设备的稳定性和性能。

3. **医疗电子设备：** 适用于医疗电子设备中的功率开关，确保医疗设备的稳定供电。

UPA2737GR-E1-AT-VB通过其卓越的性能和稳定性，为不同领域的功率控制模块提供可靠的解决方案，推动电力电子系统的发展。