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ZXMC4559DN8TC-VB一种N+P—Channel沟道SOP8封装MOS管

型号：ZXMC4559DN8TC-VB  

丝印：VBA5638  

品牌：VBsemi  

参数：

- N+P—Channel沟道

- 最大工作电压：±60V

- 最大工作电流：6.5A (正向) / 5A (反向)

- 漏源电阻：RDS(ON)=28mΩ (正向) / 51mΩ (反向) @ VGS=10V, VGS=20V

- 阈值电压：Vth=±1.9V

封装：SOP8  

ZXMC4559DN8TC-VB.pdf

**详细参数说明：**

ZXMC4559DN8TC-VB采用N+P—Channel沟道结构，适用于±60V的工作电压，最大正向和反向工作电流分别为6.5A和5A。漏源电阻在VGS=10V和VGS=20V时分别为28mΩ和51mΩ。阈值电压为±1.9V。封装为SOP8。

**应用简介：**

该器件适用于广泛的功率控制和开关应用，特别适用于需要高电压和高电流的场合。以下是一些可能的应用领域：

- 电动车电源模块：用于电动车的电池管理系统和电机控制。

- 工业自动化模块：适用于大型机器设备的电源开关和功率调节。

- 高压开关电路：用于控制高压设备和系统中的开关。

- 医疗设备模块：应用于医疗成像设备的电源管理和功率转换。

**示例应用场景：**

- 在电动车电源管理系统中，用于控制电池充放电和电机驱动。

- 在工业自动化中，用于控制大型机器设备的电源开关和功率调节。

- 在医疗成像设备中，用于控制X射线发生器的电源管理和功率转换。