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ZXMN6A09DN8TC-VB一种2个N—Channel沟道SOP8封装MOS管

产品型号：ZXMN6A09DN8TC-VB

品牌：VBsemi

丝印：VBA3638

参数：

- 通道数：2个N沟道

- 额定电压：60V

- 额定电流：6A

- 开启电阻：27mΩ @ VGS=10V、VGS=20V

- 阈值电压：1.5V

封装：SOP8

ZXMN6A09DN8TC-VB.pdf

详细参数说明：

ZXMN6A09DN8TC-VB是一款双N沟道功率MOSFET，适用于最高60V的电压和最大6A的电流。其低开启电阻为27mΩ，在VGS为10V和20V时测量。阈值电压为1.5V。采用SOP8封装，易于安装和使用。

应用简介：

该产品适用于多种功率控制和电源管理应用，涵盖以下领域：

1. 直流-直流（DC-DC）转换器

2. 电机驱动器

3. 电源开关

4. LED照明控制器

5. 电池保护电路

举例说明：

1. 在直流-直流（DC-DC）转换器中，ZXMN6A09DN8TC-VB可用作功率开关，实现高效的电能转换。

2. 在电机驱动器中，可用于控制电动汽车、工业机械等设备的电机运行状态。

3. 在电源开关中，可用于各种电子设备的电源管理和开关控制。

4. 在LED照明控制器中，该MOSFET可用于调节LED灯的亮度和色温，提供灵活的照明解决方案。

5. 在电池保护电路中，可用作过压、过流保护开关，保护电池免受损坏。

以上示例展示了ZXMN6A09DN8TC-VB在多个领域中的应用，使其成为许多电子模块的理想选择。