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UT9564L-TN3-R-VB一种TO252封装P—Channel场效应管

### 产品简介：

UT9564L-TN3-R-VB是VBsemi推出的P-Channel沟道MOSFET，具有-40V的漏极-源极电压承受能力和-65A的漏极电流承受能力。该器件采用TO252封装，易于安装和散热。

### 详细参数说明：

- **丝印**：VBE2412

- **品牌**：VBsemi

- **型号**：UT9564L-TN3-R-VB

- **沟道类型**：P-Channel

- **最大漏极-源极电压**：-40V

- **最大漏极电流**：-65A

- **导通电阻**：10mΩ @ VGS=10V

- **关断电压**：VGS=20V

- **阈值电压**：-1.6V

- **封装**：TO252

UT9564L-TN3-R-VB.pdf

### 适用领域和模块举例：

1. **电源管理**：UT9564L-TN3-R-VB可用于开关电源和DC-DC变换器中的功率开关控制。

2. **驱动器**：适用于驱动电机和其他高功率负载的驱动器电路中，例如电机控制和照明系统。

3. **电池保护**：在便携式设备中，可用于电池保护电路，确保电池充电和放电时的安全。

4. **逆变器**：用于太阳能电池板和风力发电机等可再生能源系统中的逆变器电路，将直流电转换为交流电。

5. **汽车电子**：可用于汽车电子系统中的功率开关控制和电池管理，提高系统效率和可靠性。

这些是UT9564L-TN3-R-VB的一些应用示例，该器件在需要P-Channel MOSFET的高功率应用中具有广泛的用途。