ZXMP6A17GTC-VB一种SOT223封装P—Channel场效应管
标签： 来源：国产品牌站 时间：2024-06-27 14:22
摘要：VBsemi ZXMP6A17GTC-VB MOSFET是一款P沟道沟道MOSFET，具有-60V的漏极-源极电压承受能力，能够承受最大-6.5A的漏极电流。其导通电阻（RDS(ON)）在10V的栅极-源极电压下为58mΩ，栅极-源极电压为20V时为58mΩ，临界栅极-源极电压（Vth）在-1V至-3V之间。该器件采用SOT223封装。
VBsemi ZXMP6A17GTC-VB MOSFET是一款P沟道沟道MOSFET，具有-60V的漏极-源极电压承受能力，能够承受最大-6.5A的漏极电流。其导通电阻（RDS(ON)）在10V的栅极-源极电压下为58mΩ，栅极-源极电压为20V时为58mΩ，临界栅极-源极电压（Vth）在-1V至-3V之间。该器件采用SOT223封装。
产品简介：
VBsemi ZXMP6A17GTC-VB MOSFET是一款高性能P沟道MOSFET，具有较低的导通电阻和较高的漏极-源极电压承受能力。它适用于各种需要高效能、高电流承受能力和低导通电阻的应用场合。
详细参数说明：
- 电压承受能力：-60V
- 漏极电流：-6.5A
- 导通电阻(RDS(ON))：58mΩ @ 10V, 20V
- 临界栅极-源极电压(Vth)：-1V至-3V
适用领域和模块示例：
1. 电源管理模块：ZXMP6A17GTC-VB MOSFET可以用于电源管理模块中的功率开关，实现高效率的能量转换。
2. 电池保护电路：在移动设备和便携式电子设备中，可将其用于电池保护电路，提高电池的安全性和寿命。
3. 逆变器：可用于逆变器中，帮助实现直流到交流的转换，适用于太阳能和风能发电系统。
4. 电动汽车充电桩：在电动汽车充电桩中，可用于功率开关和电源管理，提高充电效率和安全性。
5. 工业控制系统：在工业控制系统中，可将该器件用于功率开关和电源管理，提高工业设备的效率和可靠性。
