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标签： MOSFET TYPE-C快充 来源：恒芯 作者：NV 时间：2022-12-02 10:10

摘要：通过采用最先进的沟槽栅工艺技术和完美的结构设计，恒芯半导体的中低压 MOSFET实现了功率密度最大化。一方面大幅度降低电 流传导过程中的导通功率损耗 ；另一方面有效降低了栅极漏极间的电荷(Qgd)，从而在快速开关过程中降低开关功 率损耗。优异的 FOM表现完美支持快充电源产品同步整流设计。