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QM6004D-VB一种TO252封装N—Channel场效应管

### QM6004D-VB 产品简介

**产品名称**: QM6004D-VB  

**品牌**: VBsemi  

**封装类型**: TO252

QM6004D-VB.pdf

**产品简介**: 

QM6004D-VB 是一款由 VBsemi 提供的 N-沟道 MOSFET 器件，具有高压、高电流处理能力，适用于各种需要高性能功率控制的应用。其低导通电阻和高可靠性使其成为工业和消费类电子设备的理想选择。QM6004D-VB 封装在TO252封装中，易于安装和散热。

### QM6004D-VB 详细参数说明

- **类型**: N-沟道 MOSFET

- **最大漏源电压 (Vds)**: 60V

- **最大漏极电流 (Id)**: 45A

- **导通电阻 (RDS(ON))**: 24mΩ @ Vgs = 10V

- **最大栅源电压 (Vgs)**: ±20V

- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.8V

- **封装类型**: TO252

### 应用领域和模块

1. **电源管理模块**: QM6004D-VB 的高电压和高电流处理能力使其非常适用于直流-直流转换器、电源适配器和开关模式电源供电的应用。其低导通电阻和高效能可以提高电源管理的效率和可靠性。

2. **电动工具和汽车电子**: 在电动工具、电动汽车和混合动力车辆等应用中，QM6004D-VB 能够提供可靠的功率控制和高效率的能量转换。其高电压和电流能力使其成为电动机驱动器和电池管理系统的理想选择。

3. **照明控制**: 该 MOSFET 器件适用于 LED 照明控制，可以实现高效的电源管理和光控制。其高电流处理能力和低导通电阻有助于减少能量损耗，提高照明系统的效率。

4. **电机驱动器**: 在需要高效能电机驱动器的应用中，如家用电器、工业自动化设备等，QM6004D-VB 能够提供可靠的功率控制和高效率的能量转换，帮助提高设备的性能和可靠性。

通过以上示例，可以看出 QM6004D-VB 是一款功能强大且适用广泛的 MOSFET 器件，适用于多种功率控制和电源管理应用，为设计工程师提供了高性能和可靠性的解决方案。